一种具有高ESD泄放电流的AlGaN/GaN HEMT器件

为满足AlGaN/GaN HEMT器件的高静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护需求,提出了一种用于泄放静电电荷的具有掺杂沟槽的GaN HEMT防护结构。通过在沟道层下方引入沟槽,提高了GaN HEMT在面对ESD事件时的电流泄放能力,同时将沟槽设置在栅极与漏极之间,降低了沟槽对栅极控制的影响,保证了栅极的稳定性。对所提结构在ESD条件下的电流泄放能力进行了仿真验证,结果表明,相比于常规的GaN HEMT结构,沟槽结构GaN HEMT的泄放电流提高了32.7%,并且当沟槽与栅极距离大于0.3μm时,沟槽对阈值电压几乎没有影响。

架空运输设备防雷技术研究

现代索道电气控制系统采用的PLC、计算机网络、交换机等设备以超大规模的电子集成电路制造技术为主,因其大量采用CMOS半导体集成模块,抗过流及耐高压能力降低,但安全性要求高。设备设施暴露在天空中且传输线路长,加大了雷电预防的难度,控制系统遭受雷击的概率增大。本文通过对黄山云谷索道传统防雷技术改造,结合最新雷电预测预警技术,将雷电对索道造成的危害降低了10%~20%,对提升索道防雷效果起到了很好的作用。

全固态中波广播发射机的防雷技术探究

随着科技的进步,我台中波发射机实现了全固态化。全固态机的稳定性、指标以及效率较电子管机有了较大提高。但由于全固态机使用的是场效应管,单管耐压低,容易遭到雷击的破坏,防雷能力远不及电子管发射机。本文就雷电对发射机的危害以及在工作实践中采取的防雷措施作了阐述,从电源系统、发射机、音频系统、地网系统、天调系统等方面对全固态中波发射机的防雷保护技术进行了有益的探究。

仪表用电涌防护器的选择

石油化工企业由雷电引起的事故正呈现逐年上升的趋势,尽快解决仪表系统雷电灾害问题显得十分重要。正确选择和使用电涌防护器是仪表防雷工程设计的重要组成部分,为了加强对仪表用电涌防护器的认识,首先介绍了雷电灾害对现场仪表设备和控制系统的危害,阐述了几种常见的仪表防雷工程的措施,着重说明了电涌防护器的原理及仪表用电涌防护器的主要性能参数和选择要点,最后总结了电涌防护器在仪表防雷工程中的特殊地位和必要性。

高抗ESD瞬态电压抑制器的研究

瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都没有损伤的电位下,同时尽快将电流通过瞬态电压抑制器自身泄放掉。本文通过结构设计的改进,对一种常用的平面结构单向瞬态电压抑制器的反向三极管进行优化,通过TLP测试,并结合Tsuprem4、Medici的模拟和理论分析显示,这种改进方法使得瞬态电压抑制器具有了更强的抗静电放电的能力,从而可以更好地保护电子设备。