SOT-MRAM读电路泄电结构优化

自旋轨道矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)作为第四代磁随机存储器广受关注。SOT-MRAM为三端结构,应用于2T2R结构时,不对称写入容易导致电荷积累,从而对读产生影响,甚至导致读取错误的发生。因此研究针对SOT-MRAM特点的读电路泄电结构,减小写入对读取通路的影响具有重要意义。本文针对SOT-MRAM写入不对称导致电荷积累问题,对比了两种泄电电路结构,有效降低了首个读周期的读取时间延迟。研究了引入的泄电结构对位线电容的容忍度的影响。分析了位线电容差异导致读取不对称的机理,结合首个读周期读取时间延迟问题,提出了适合SOT-MRAM特点的读取电路泄电结构。本文的研究为SOT-MRAM读取电路的设计提供了新思路。

功率PMOS管的有源泄放驱动电路研究

为提高功率PMOS管的开关速度,分析其开关特性,提出一种能够快速开通与关断功率PMOS管的有源泄放驱动电路。通过在其栅源极间并接开关电路,并由PWM脉冲控制开关电路中电容充放电以实现并接开关管的开通与关断,迫使功率PMOS管栅-源寄生电容在开通期间快速充电,关断期间快速放电,从而快速开通与关断功率PMOS管;结合所提的驱动电路,深入分析功率PMOS管的开通与关断过程,并得出驱动电路主要元件的选取方法。将所提出的驱动电路应用于Buck变换器,结果验证了所提驱动电路的可行性及设计方法的正确性。

室温快质子导电玻璃

本文介绍了室温质子导电玻璃及提高质子导电率的几种方法 :H+ 注入法 ,sol -gel(溶胶 -凝胶 )工艺和复合强化法。与传统熔融 -淬火玻璃相比 ,从大量研究成果总结出各种方法对导电率的提高 ,并从基体的结构变化和导电机制方面分析各种方法提高质子导电率的原因 ,为发展新型快质子导体提供理论基础。对室温快质子导电进行了展望 ,以期发展实用性低温燃料电池。

基于自适应限流电流互感器取能电源设计方法

针对输电线路电流大小大范围波动导致在线取能装置能量溢出的问题,通过在电流互感器直流侧增添泄能电路,利用泄能电路的电流值对取能负载进行限流。首先在分析电流互感器取能原理的基础上建立取能负载模型,推导出负载电压与电流互感器母线电流的关系。通过引入开关电路,由脉冲信号与电流比较器结合产生的信号控制晶体管的导通与关断,从而解决电流过大时能量溢出的问题,给出了稳压电路的实现形式,建立整个装置的等效模型。同时建造试验平台,证明了该方法能够在母线电流变换的条件下达到自动调节取能负载电压的效果,从而有效地改善取能装置在大输入电流下的能量溢出状况,可见所提方法的可行性。