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L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究
被引量:
3
1
作者
曹亚超
李明伟
+3 位作者
潘翠连
朱廷霞
尹华伟
程旻
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期11061-11065,11070,共6页
通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,(100)面的法向生长速度先增大后减小,而(010)及(001)面的法向生长速度先减小,接着...
通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,(100)面的法向生长速度先增大后减小,而(010)及(001)面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明(100)面以位错生长机制为主,(010)及(001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的(100)面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33~308 mm-2;掺杂浓度为1%(摩尔分数)时,蚀坑密度最小。
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关键词
ZTS晶体
法向生长速度
动力学
L-丙氨酸
化学侵蚀
法
下载PDF
职称材料
题名
L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究
被引量:
3
1
作者
曹亚超
李明伟
潘翠连
朱廷霞
尹华伟
程旻
机构
重庆大学动力工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期11061-11065,11070,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(51176208
50976127)
+1 种基金
中央高校基本科研业务费资助项目(CDJRC10140003)
重庆大学研究生创新基金资助项目(CDJXS11140010)
文摘
通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,(100)面的法向生长速度先增大后减小,而(010)及(001)面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明(100)面以位错生长机制为主,(010)及(001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的(100)面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33~308 mm-2;掺杂浓度为1%(摩尔分数)时,蚀坑密度最小。
关键词
ZTS晶体
法向生长速度
动力学
L-丙氨酸
化学侵蚀
法
Keywords
ZTS crystal
normal growth rate
growth kinetics
L-alanine
chemical etching
分类号
O782 [理学—晶体学]
TK124 [动力工程及工程热物理—工程热物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究
曹亚超
李明伟
潘翠连
朱廷霞
尹华伟
程旻
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
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