雷达用E弯波导体精密挤压成形工艺

雷达用E弯波导体对内腔尺寸精度要求很高,主要采用机加工方式生产,材料利用率和生产效率都很低.基于精密塑性成形技术对该产品进行CAD/CAE/CAM模具设计,开发出了E弯波导体的精密反挤压成形工艺.结果表明:通过合理控制成形过程的工艺参数,可有效避免产生缺陷,稳定地加工出符合要求的波导体,且制品的显微组织致密、细小,性能更加优异;E弯波导体的新成形工艺可节约工时85%,节约原材料81.7%,具有优质、高效、低成本、低污染的特点.

d-波超导体的反铁磁序

在二维空穴掺杂t-t′-J-U模型和重整化平均场理论的框架下,用Gutzwiller平均场近似方法研究了电子次近邻跃迁(t′)对空穴掺杂超导体的反铁磁序的影响。在掺杂浓度δ小于0.1的欠掺杂区存在反铁磁序,t′的引入使反铁磁序能在更大的掺杂浓度区存在,而且随着次近邻跃迁的增大,反铁磁序明显增强。

大直径波纹内导体同轴慢波结构特性的研究

提出了易以加工的大直径波纹内导体相对论返波振荡器慢波结构,推导了这种慢波结构的冷色散方程和耦合阻抗计算公式,数值计算并详细分析了相关结构参数对TM0n模式色散曲线分离度以及TM02模式的高频场耦合阻抗的影响.结果表明:慢波结构周期、波纹深度以及电子注平均半径都对高频场耦合阻抗有影响;这种慢波结构在抑制模式竞争、以及在低引导磁场下工作等方面都有较大的优势.

绝缘层方势垒影响下N/I/d波超导体结隧道谱的奇异性——超导相位因子φ_±=0情况下的研究

以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,在超导相位因子φ±=0的情况下,利用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)在φ±=0的情况下,N/I/d波超导体结的隧道谱中出现了零偏压电导峰,零偏压电导峰的出现及形状强烈地依赖于绝缘层的厚度和绝缘层的势垒值;(2)绝缘层以方势垒描述较之以δ势描述更为优越.

一维化学势调制的p波超导体中的拓扑量子相变

本文研究了一维公度势和非公度势调制下的p波超导量子线系统的拓扑相变.在公度势调制下,通过计算Z2拓扑不变量确定系统的相图,指出系统的拓扑相变强烈地依赖于调制参数α和相移δ.在非公度势调制下,以α=(√5-1)/2,δ=0为例,计算系统的低能激发谱、Z2拓扑不变量以及逆参与率等,发现p波配对强度△∈(0,0.33)时,系统存在拓扑非平庸超导相,拓扑平庸超导相和拓扑平庸局域相的转变.而当p波配对强度△>0.33时,系统存在拓扑非平庸超导相和拓扑平庸局域相的转变.

f波超导体/绝缘层/f波超导体结中势垒散射对直流Josephson电流的影响

通过计算界面势垒散射强度对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流与温度T和结两侧晶轴方位角之间的关系.我们发现:f波超导体/绝缘层/f波超导体结界面的势垒强度总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过f波超导体/绝缘层/f波超导体结的直流Josephson电流.当结两边晶轴方位角相同时,Josephson电流的振荡周期是2π;特别地,当结两边晶轴方位角不同时,其振荡周期不再是2π,而是会随着势垒强度的增大,振荡周期变小.

同轴内导体盘荷慢波结构注波互作用机理研究

采用理论分析和粒子模拟方法研究同轴内盘荷慢波结构注波互作用的物理机理。采用场匹配理论得到色散方程,通过数值计算得到了准TEM模的色散曲线及不同电子注电压下注波互作用的增长率;采用粒子模拟技术研究了注波互作用的物理过程。结果表明,随着电子注电压的不断增加,器件的工作状态由返波振荡转换到行波振荡;通过对辐射谱特性进行分析表明粒子模拟结果与理论计算结果基本一致。

正常金属/d_(x^2-y^2)+id_(xy)混合波超导隧道结中的准粒子寿命效应

考虑到准粒子的有限寿命效应,在Blonder-Tinkham-Klapw ijk(BTK)理论框架下,通过求解Bogo liubov-de G ennes(BdG)方程,计算正常金属/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结中的准粒子输运系数与隧道谱.结果表明:准粒子的有限寿命效应不仅能压低隧道谱中的电导峰,而且可以有效地阻止峰的滑移;随着非弹性散射的增强,还会在零偏压处形成一宽峰.

各向异性s-波超导电性研究

最近发现的金属间化合物MgB2是具有很高转变温度的超导体,提出的一种各向异性s-波超导体模型,它能够很好地描述这种化合物的性质,包括热力学性质和光学响应性质。也确定了准粒子态密度的形状、上临界磁场和超流密度的各向异性。

二带超导体上临界磁场的各向异性

采用二带Ginziburg-Landau(G-L)理论模型计算了各向异性超导体的上临界磁场,发现上临界磁场Hc2的解析式中包含序参量的各向异性和有效质量的各向异性;上临界磁场ab-面内分量Hc|2|ab、c-轴方向分量Hc|2|ab与实验数据符合;上临界磁场比率在实验许可范围之内。

磁交换作用对铁磁/d_(x^2-y^2)+id_(xy)混合波超导结隧道谱的影响

考虑到铁磁层中的磁交换作用和界面势垒的散射效应,利用推广的Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论,计算了铁磁/dx2-y2+idxy混合波超导结中的准粒子输运系数和自旋极化的隧道谱.研究表明:(1)铁磁/dx2-y2+idxy混合波超导结中自旋极化的隧道谱能较好地解释La2/3Ba1/3MnO3/DyBa2Cu3O7隧道结中观察到的零偏压电导凹陷的实验结果;(2)在Δ2/Δ1=1的情况下,磁交换作用和界面势垒散射可压低峰值,且导致隧道谱逐渐演化出四个电导峰;(3)虚的Andreev反射过程对铁磁/dx2-y2+idxy混合波超导结的隧道谱有显著影响.

向列型三态超导体中的磁通涡旋态

在掺杂拓扑绝缘体CuxBi2Se3中,向列型三态超导电性的发现引发了人们对指认三态超导中d-矢量的兴趣,它与能隙函数的反节点方向有关,并且决定了该超导体是否为拓扑。我们对向列型自旋三态px波超导体的涡旋态性质进行了自洽分析。我们首先推导了Ginzburg-Landau理论来确定涡旋和涡旋晶格的形状。我们发现孤立涡旋的空间轮廓沿着反节点方向拉长,涡旋晶格是一个沿x方向拉长的形变了的三角晶格,在圆形费米面的特定情况下会变成正方形。最后,我们使用微观的Bogoliubov-de Gennes方程自洽计算了孤立涡旋和涡旋晶格的局域态密度。我们发现在隙间低能量下,局域态密度的轮廓始终沿着反节点方向拉长。我们的发现对于实验上探测向列型三态超导体中能隙函数的反节点方向以及进而确定超导态的拓扑性质(如在CuxBi2Se3中)具有重要价值。

势垒散射对双层d波超导结直流Josephson电流的影响

在d波超导体/绝缘层/d波超导体(dS/I/dS)中,考虑到结界面势垒散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和推广的Furusaki-Tsukada(FT)电流公式,计算了超导结中准粒子的传输系数和直流Josephson电流.研究结果表明:dS/I/dS结中的Josephson电流随着温度的变化曲线强烈依赖于d波超导体的晶轴方位,并且结界面处的势垒散射始终对Andreev反射有抑制作用.

双层磁性d波超导结的直流Josephson电流的性质

通过计算双层磁性d波超导结界面势垒散射效应,研究了双层磁性d波超导结中Josephson临界电流随温度、磁交换能以及势垒强度的变化关系。研究发现:当交换场的强度在某一范围之内时,双层磁性d波Josephson临界电流强烈依赖于结两边d波超导体的晶位角,而且当磁交换能在特定条件下也能增强约瑟夫森电流。

均匀磁场下二维拓扑绝缘体边缘态的多重Andreev反射研究

研究均匀磁场下的二维拓扑绝缘体在超导隧道结中的电压偏置约瑟夫森结的输运性质,电流-电压特性显示了马约拉纳束缚态的存在。在亚谐隙结构中,也可以观察到磁场对超导能隙的影响。研究结果表明,在S波超导体/正常金属/S波超导结的隧道谱中存在亚谐隙结构。透明度只影响超导结的零偏压电导值的大小,而不影响亚谐隙结构的位置。但是在磁场作用下,亚谐隙结构会发生变化,不再固定出现在特定位置。这一结果对应于拓扑螺旋态中超导和铁磁序之间的相互作用。

s波超导体绝缘层d_(x^2-y^2)波超导体结的直流Josephson电流

在s波超导体 绝缘层 dx2 -y2 波超导体结 (s I d)中 ,考虑到结界面粗糙散射 ,运用Bogoliubov deGennes(BdG)方程和Furusaki Tsukada(FT)电流公式 ,计算超导结中的准粒子传输系数和直流Josephson电流 .结果表明 :s I d超导结的直流Josephson电流随温度以及结两侧的相位差变化的关系曲线强烈地依赖于d波超导体的晶轴方位 ;结界面的粗糙散射对Josephson电流有抑制作用 .

正常金属/自旋三重态p波超导体结隧道谱的奇异性

利用Blonder,Tinkham和Klapwijk理论计算了正常金属/绝缘层/正常金属/自旋三重态的p波超导体结的隧道谱和平均电流.计算结果表明:在自旋三重态p波超导结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷和双凹陷结构,并有微分电导随偏压震荡的现象出现,在I-V曲线上出现电流台阶.这些结果在理论上支持Sr2RuO4的超导态是自旋三重态p波超导态.

d_(x^2-y^2)+id_(xy)混合波正常金属/绝缘层/超导体结中的隧道谱

考虑界面粗糙散射 ,在Blonder Tinkham Klapwijk(BTK)理论框架下 ,通过求解Bogoliubov deGennes(BdG)方程 ,分别计算T =0K和有限温度下 ,dx2 -y2 +idxy混合波正常金属 绝缘层 超导体结中的准粒子输运系数和隧道谱 .研究表明 :隧道谱中的电导峰的劈裂程度强烈地依赖于dxy波分量的强度、超导体的晶轴方位和界面粗糙强度 ,而温度的升高能压低电导峰 .

基于恒流模块DHM905A的连续波半导体激光器驱动电源设计

DHM905A是一种大功率恒流模块。本文首先介绍其性能参数和构成恒流电路的典型应用电路,然后根据实际需要,利用该恒流模块设计了一种连续波半导体激光器驱动电源,驱动电流为0.5A^10A可调,开机运行5小时内,温度系数小于1%。

铁磁超导态/绝缘层/自旋三重态p波超导体结的直流Josephson电流

由Bogoliubov-deGennes方程得到铁磁超导共存态(FS)的自洽方程,利用推广的Furusaki-Tsukada的电流公式计算了铁磁超导态/绝缘层/自旋三重态p波超导体(FS/I/p)结的直流Josephson电流随结的温度、相位差以及FS中磁交换能、结界面的势垒散射强度的变化关系.研究表明:FS中磁交换能、结界面的势垒散射均抑制FS/I/p结的直流Josephson电流.当自旋三重态超导体具有px波配对势时,自旋三重态超导体结的直流Josephson电流随结两侧相位差的振荡周期是π.