光弹效应在光电子器件中的应用

在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.

基于变量变换级数展开法的光波导矢量本征模分析

基于变量变换级数展开法 ,获得了掩埋矩形光波导及脊形光波导的矢量本征模及其传播常数。变量变换使无限平面映射成单位平面 ,从而使单位平面边界上的电磁场自然为零 ,消除了非物理反射 ,提高了计算精度 ;另外 ,由于这种方法所导致的矩阵阶数小 ,因此计算效率较高。分析的结果与已发表的结果吻合较好 。