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一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现
被引量:
3
1
作者
方园
高学邦
+1 位作者
吴洪江
喻梦霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期886-889,共4页
为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指...
为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指标为:工作频率2~8GHz,插入损耗≤23dB,总延时量为637.5ps,驻波比≤1.5∶1。同时指出,要获得高精度的实时延迟线芯片,正确选择控制器件的连接方式和分析延时网络的寄生效应是必要的。
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关键词
宽带
高精度
GAAS微波单片集成电路
实时延迟线
波束倾斜效应
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职称材料
题名
一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现
被引量:
3
1
作者
方园
高学邦
吴洪江
喻梦霞
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
电子科技大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期886-889,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
文摘
为降低电子系统在宽带运用中波束倾斜效应的影响,开展了相关的技术研究。简要介绍了实时延迟线电路的基本概念,对电路设计流程进行了阐述。最终成功开发出一款具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路。其性能指标为:工作频率2~8GHz,插入损耗≤23dB,总延时量为637.5ps,驻波比≤1.5∶1。同时指出,要获得高精度的实时延迟线芯片,正确选择控制器件的连接方式和分析延时网络的寄生效应是必要的。
关键词
宽带
高精度
GAAS微波单片集成电路
实时延迟线
波束倾斜效应
Keywords
broadband
high precision
GaAs MMIC
true-time delay
beam-squinting effect
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一款宽带实时延迟线芯片的设计和实现
方园
高学邦
吴洪江
喻梦霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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