波长拓展型可见-近红外双色光电探测器

分析表明,双色光电探测器主要应用于宽光谱测量的应用场景,光谱响应范围将直接影响器件在测试系统中的性能。研制波长拓展型可见-近红外双色光电探测器,器件中调整了Si基和InGaAs基光电二极管芯片结构,使器件的光谱响应范围分别向紫外和红外方向进行了拓展。针对双芯片叠层封装结构,对Si基芯片进行了背面处理,降低了近红外光在该芯片上的吸收系数,采用3D加工工艺,制作一体化陶瓷载体,简化了器件加工工艺。研制的器件光谱响应范围达到300~1750nm,峰值响应度≥0.63A/W。

高速率通信用线列探测器芯片设计

阐述一款高速率阵列探测器芯片的设计,通过调整AGaAs材料中Al组分的占比,实现对芯片响应介质波长的调节,完成830~870nm谱响应范围的芯片设计。针对高速率应用,采用了台面结构设计,有效缩短载流子输运时间,利用多层DBR反射结构,指定波长范围内的反射率高达95%以上,单通道最高速率超过10GHz,峰值响应度≥0.50A/W,芯片响应度满足实际应用要求。