注入光敏器件是一种新型的光电探测器

注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。

四论注入光敏器件的物理基础

叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献［１～５、１０］中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。

注入光敏器件耦合系数的讨论

本文提出了间接耦合这个新概念,在此基础上找到了间接耦合的具体形式——注入光敏器件.文中对耦合系数进行了详细讨论.实验证实,注入光敏器件的信噪比高于普通光敏器件约两个数量级,显示出它的实用可能性.

注入光敏器件工作原理的模拟与分析

通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。

注入光敏器件与MOS场效应结构比较

通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。

注入光敏器件的探讨

对注入光敏器件进行了分析，所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的，并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大ｐｎ结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率，其原因是开路ｐｎ结“注入电流”被抽取的机理难以实现。

对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷

利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。

光敏三极管光电特性

给出理想光敏三极管的一种等效电路计算模型，在一维条件下得到理想光敏三极管的电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系式。这些公式比较全面地描述了器件的基本特性，可以用作计算机辅助分析和设计的基本模型。利用所得方程计算光敏三极管在不同工作状态下光电流的计算结果与实验值符合较好。同时，利用所得结果对近年报道的“注入光敏器件”进行了分析讨论，指出“注入光敏器件”是光敏三极管诸多工作状态中的一种。

光电探测技术及器件

TN29 96042616InP系波导和光电探测器单片集成=Monolithicintegration of InP optical waveguide and photodetector[刊,中]/杨易,陈兴国,程宗权,王惠民,吕章德,蒋惠英,王晨,施惠英,吴学海(中科院上海冶金所.上海(200233)),朱祖华(浙江大学电信系.浙江,杭州(310008))∥半导体学报.—1996,17(1).—51—

光探测与器件

TL181.5 2001053443一维光电位置敏感器的应用研究=Application research on one-dimensional photoelectric position sensitive detectors[刊,中]/漆新民,周鞠宁,余拱信(南昌航空工业学院测控工程系.江西,南昌(330034))//光电工程.—2000,27(5).—66-68叙述了一维光电位置敏感器的工作原理,以及采用光学三角法测量构成的尺寸测量传感器。

光探测与器件

TN364.2 99031796硅光电二极管陷阱辐射定标研究=Calibration studyof trap radiation of Si photodiode[刊,中]/吴浩宇,王光远,荀毓龙(中科院安徽光机所.安徽,合肥(230031))//应用光学.—1998,19(2).-1-4介绍CryoRadll低温绝对辐射计(HACR),给出通过激光功率控制器(LPC)

关于间接耦合光电探测器的存疑点剖析

本文用新的实验再一次证明,注入光敏器件是肖克莱晶体管理论运用于光敏器件的体现.并指出了光敏器件的最重要工作之一是提高它的信噪比,而不是单纯地增加灵敏度,注入光敏器件正是为了这个目的而提出的.其间着重剖析了对间接耦合光电探测器的存疑点.

只要是注入电流一定能抽取

针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论 ,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。

对于CMOS有源传感器的分析与研究

CMOS图像传感器是一种新的摄像器件。具有结构紧凑、供电简单、成本低廉等优点。本文认识比较其CMOS图像传感器的优越性，分析感光结构性能和CMOS有源像素传感器APS列选电路的研究。