真空场注入三态叠加MFSS光场广义电场的等幂偶次Y压缩

对真空场注入三态叠加MFSS(多模泛函叠加态)光场|ψ_0^(3)〉q广义电场分量的等幂次偶次振幅压缩特性进行了详细研究,分析了光场经典强度、经典振幅和经典相位的任意空间分布特征、以及真空场注入对该光场的广义电场分量的等幂偶次Y压缩效应其压缩幅度和压缩量的影响。结果发现:导致态|ψ_0^(3)〉q的广义电场分量存在等幂偶次2m次方Y压缩效应的根本原因在于模间的量子干涉效应、态间的量子干涉效应以及模间和态间的量子纠缠效应;真空场注入可使该光场广义电场分量的2m次方Y压缩效应增强、压缩幅度增大、压缩程度加深。

真空场注入对多模泛函叠加态光场广义电场Y压缩的影响

利用多模压缩态理论,分析研究了真空场注入对多模泛函叠加态光场广义电场分量的等幂次2m次方Y压缩效应其压缩幅度和压缩量的影响。结果发现:注入多模真空态光场可使3MFSS(三态叠加多模泛函叠加态)光场广义电场分量在一定条件下呈现2m次方Y压缩效应,并且可使电场分量的2m次方Y压缩效应增强、压缩幅度增大、压缩程度加深。

HL-2A强场侧弹丸注入工程设计

为了获得更高的弹丸加料效率,在HL-2A装置上开展了强场侧弹丸注入。本文主要介绍了一种新的注入方式—强场侧弹丸注入,详细介绍了强场侧弹丸注入的工程设计,同时也进行了弹丸在导管中的数值模拟计算,最后给出了强场侧弹丸注入初步实验结果。

改善ITER弹丸注入芯部加料的研究

研究了五种不同组合的固态氢同位素靶丸H2、HD、D2、DT和T2在聚变等离子体中的消融率。结果表明,燃料靶丸的同位素效应,可导致更深的靶丸消融物质沉积。在同样的本底等离子体条件和弹丸初始参数下,注入氚丸比氢丸的穿透深度增加约40%。适度减轻一些ITER的加料困难。进一步的研究表明从中平面高场侧注入靶丸对芯部加料有显著改善。考虑托卡马克非均匀磁场的影响,被电离的消融云内的垂直漂移电流产生极化,引起带电消融物沿大半径方向朝外漂移。数值模拟计算表明,只要用初始速度为每秒几百米的低速弹丸,便能使靶丸的消融物质沉积到ITER等离子体中心。

Dynamic Equations and Nonlinear Dynamics of Cascade Two-Photon Laser

我们导出方程并且学习二光子的激光，在洞的电磁的地被协调地准备的三水平的原子和古典地在驾驶注入了洞的串联的非线性的动力学。如此的一个系统的动态方程被使用量 Langevin 操作员的技术导出，然后在不同开车条件下面数字地被学习。结果在某些条件下面显示出那二光子的激光能产生的串联混乱，加倍的时期，周期、稳定、双稳态的状态。混乱能被原子人口，原子连贯，和注射的古典地禁止。另外，没有混乱发生在光双性人稳定性。

IC外延电阻相似失效案例的比较与分析

该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型,并予以归类。

薄层SOI场pLDMOS击穿机理研究

为了解决薄层SOI(silicon-on-insulator)场LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)击穿电压偏低,容易发生背栅穿通的问题,提出一种基于场注入技术的薄层SOI场pLDMOS(p-channel lateral double-diffused MOSFET)。通过建立该场pLDMOS的穿通机制数学模型,分析了其4种击穿机理:背栅穿通、沟道横向穿通、横向雪崩击穿和纵向雪崩击穿。仿真结果表明,场注入技术穿过厚场氧层向下注入硼杂质,通过控制注入能量和体区浓度获得浅结深,从而提高器件对背栅穿通的抵抗力;优化的沟道长度和埋氧层厚度分别消除了沟道的横向穿通和纵向雪崩击穿;双层场板结构调制器件表面电场分布,避免了器件过早地横向雪崩击穿。在优化器件相关结构参数和工艺参数基础上,成功基于1.5μm厚顶层硅SOI材料研制出耐压300 V的场pLDMOS。相比较于常规厚层场pLDMOS器件,顶层硅厚度由大于5μm减小到1.5μm。

^(108)Cd正宇称yrast带g-因子测量

在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上,利用76Ge(37Cl,1p4n)108Cd重离子熔合蒸发反应布居了108Cd的yrast带高自旋态,采用瞬态场-离子注入扰动角分布(Transient-magnetic filed-ion implantation perturbed angular distribution,TMF-IMPAD)方法测量了108Cd的正宇称yrast带的g因子,测量得到2+、4+态g-因子分别为0.33(11)、0.18(6)。在10+态前后,发生h11/2中子顺排,g-因子值由正转负。从10+态到16+态,由于g7/2中子顺排,导致g-因子逐渐增大。测量得到反磁转动带带头16+态的g-因子为-0.09(3)。

非锁相Lorenz-Haken方程动力学研究

考虑原子的相干性和经典注入光场 ,利用随机微分方程给出非锁相条件下的Lorenz Haken方程 ,研究失谐量、注入经典光场和原子相干性对非锁相Lorenz Haken方程动力学特性的影响 .在激光运转情形 ,失谐量造成光场位相的混沌 ,系统在不同条件下 ,出现四吸引子、双吸引子及单吸引子混沌状态 ,且体系的分数维维数较锁相条件下增加 .光场失谐量、注入光场和原子相干性可抑制混沌 .在双稳态运转下 ,光场位相为π的偶数倍或奇数倍 ,使光场稳定于正值和负值 ,故体系出现对称双稳态对 ,但无混沌状态 .