基于镁电子注入层的倒置磷光有机发光二极管

倒置有机发光二极管(Inverted organic light-emitting diodes,IOLEDs)因其结构容易与n型薄膜晶体管技术集成而得到了广泛研究。在IOLEDs研究中,为了使电子能从底阴极有效注入电子传输层,对各式各样的电子注入层结构进行了研究。本文制备并研究了采用超薄金属Mg作为电子注入层的高效率绿色磷光IOLEDs。研究发现超薄金属Mg薄膜具有优良的透光性;基于2 nm厚Mg电子注入层的IOLEDs具有最优的发光性能,其启亮电压、最大电流效率和外量子效率分别为3.06 V、46.5 cd/A和13.3%。

喷墨打印制备全氟化离聚物掺杂空穴注入层有机发光二极管阵列

为了提升印刷器件的性能,从印刷OLED显示像素制备的需求角度出发,采用喷墨打印工艺在像素坑中精准沉积含全氟化离子交联聚合物掺杂的空穴注入层PEDOT∶PSS∶PFI来提高空穴注入效率,而后在其上蒸镀其他功能层得到OLED像素阵列器件。与喷墨打印制备的PEDOT∶PSS空穴注入层器件对比发现,含全氟化离子交联聚合物掺杂空穴注入层的器件具有较好的发光均匀性,器件最大亮度达到4325 cd/m2,最大电流效率达到5.5 cd/A。研究结果为多层印刷OLED显示器件的制备积累经验。

采用Li_3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.

空穴注入层对微腔有机发光二极管光电性能的影响

有机发光二极管（OLED）因具有效率高、自发光、种类多样、能耗低、制造成本低、又轻又薄、发光谱域宽、无视角依赖性等一系列独特优点而引起广大科学家的极大关注。微腔可以窄化有机发光二极管出射光谱,提高有机发光二极管的色饱和度。以玻璃为衬底,金属Ag薄膜作为器件阳极金属反射镜,NPB为空穴载流子传输材料,Alq3为发光材料和电子载流子传输材料,Al膜作为器件阴极金属反射镜,制作了结构是衬底/Ag（15nm）/MoO3（xnm）/NPB（50nm）/Alq3（60nm）/Al（100nm）的A,B,C和D四种类型的微腔有机发光二极管,其中：A,x=4nm;B,x=7nm;C,x=10nm;D,x=13nm。在电压13V时,器件A,B,C,D的亮度分别达到928,1 369,2 550和2 035cd·m-2。在电流密度60mA·cm-2时,A,B,C,D器件的电流效率分别达到2.2,2.6,3.1和2.6cd·A-1。实验结果表明,在有机微腔发光二极管内部,电子为多数载流子,空穴是少数载流子。MnO3薄膜在4~10nm的厚度范围,能够极大地增强器件空穴的注入能力。并且,随着MnO3薄膜厚度的增加,空穴注入能力不断增大。

导电聚合物有序超薄膜的合成及其作为有机电致发光器件空穴注入层

采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入层,并研究了ITO/(PEDOT:AA)/MEH-PPV/Al器件的性能.研究结果表明,与采用聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)自组装膜和旋涂膜作为空穴注入层的ITO/(PEDOT:PSS)/MEH-PPV/Al器件相比,器件的发光效率增加,起亮电压降低.我们认为这是由于PEDOT:AA薄膜提供了一种有序层状结构后,减小了ITO与MEH-PPV间的接触势垒,改善了空穴载流子注入效率.进一步的研究表明,由于PEDOT:AA多层膜间靠较弱的亲水、疏水作用结合,这种导电多层有序膜的热稳定性与普通LB膜相似,在较高温度下发生从层状有序态到无序态的变化,这是导致OLED器件性能发生劣化的主要原因.

LiF作为电子注入层对OLEDs器件性能的影响(英文)

制造了两种OLEDs器件,它们的结构分别为:ITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/Mg∶Ag(10∶1)(100nm)/Ag(50nm)andITO/NPB(50nm)/Alq3(65nm)/LiF(x)/Al(100nm)。结果发现,在同样电压下,与Mg∶Ag/Ag电极相比,插入LiF层可以明显提高器件的电流。当LiF厚度为1nm时,器件性能最好。以Mg∶Ag/Ag合金作为电极时的器件的最大亮度为8450cd/m2,而插入LiF层的器件最大亮度可达到14700cd/m2。此外,器件的发光效率也得到了明显的提高,在7V时达到了最大为3.117cd/mA。同时,当LiF厚度大于1nm或小于1nm时,器件性能都将会下降。

Si^+和Ti^+注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Si+（100keV，5×1017cm-2）和Ti+（100keV，3×1017cm-2）注入H13钢注入层微观结构的变化．结果表明，离子注入后板条状马氏体结构完全消失，Si+注入导致注入层晶粒细化，而Ti+注入导致注入层非晶化．

一种新型双空穴注入层微腔OLED

一种新型有机电致发光二极管的阳极结构,在玻璃衬底上以半透明的Al膜为出光面,通过在空穴注入层(HAT-CN)和空穴传输层(NPB)中间插入三氧化钼(MoO3)层,制备了底发射微腔OLEDs。所制备的器件结构为Glass/Al(15nm)/HAT-CN(10nm)/MoO3(x nm)/NPB(30nm)/Alq3(70nm)/LiF(1nm)/Al(150nm)。通过电流密度-电压-亮度性能说明该结构有利于降低驱动电压和增强器件亮度。器件的最高亮度可以达到14 390cd/m2,起亮电压为3.4V左右。设计的空穴型器件证明了该器件结构具有很好的空穴注入和传输特性。研究了光谱窄化和峰值偏移的微腔效应。

空穴注入层对蓝色有机电致发光器件性能的影响

以DPVBi为发光层,NPB为空穴传输层,在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT∶PSS,制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs):ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT∶PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al,研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响,并与没有空穴注入层的器件进行了比较。其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种工艺,比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响。结果表明:加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好,其中插入水溶性CuPc的器件,其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低,但比插入PEDOT∶PSS器件发光性能要好。又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜,与传统CuPc相比,制备工艺简单,所以为一种不错的空穴注入材料。

利用新型的空穴注入层材料提高有机发光器件性能

研究使用新材料2-TNATA作空穴注入层制备OLED,发现空穴注入层厚度的最佳参数为35 nm,器件的发光光谱随空穴注入层厚度并不发生显著变化,微腔作用对发光光谱的影响基本可以忽略。并将2-TNATA作为空穴注入层的器件同CuPc制作的器件进行了对比,发现使用2-TNATA能获得更佳的器件性能。

GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究

针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LTHIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响。结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高。相比于无LT-HIL的样品,在20mA工作电流下,Cp2Mg流量为1.94μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3%,而正向电压降低0.1V。在Cp2Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素。

Nb_2O_5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响

在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/Al的器件。Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。研究了不同厚度Nb2O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5cd/A增加到了7.8cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件。

空穴注入层2T-NATA对OLED器件性能的影响

为了提高有机电致发光器件OLED的发光效率,引入2T-NATA作为空穴注入层,制备了结构为ITO/2T-NATA(Xnm)/NPB(25nm)/Alq3:C545T(20nm:质量分数4.5%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的绿光器件,其中X为空穴注入层2T-NATA厚度。分析了2T-NATA的蒸镀厚度分别0,5,10,15,20,25,30,35nm时器件的发光性能。结果表明,2T-NATA的HOMO能级较好的与ITO功函数匹配,降低了空穴注入势垒,引入空穴注入层2T-NATA提高了器件的发光亮度和效率。当2T-NATA厚度为15nm时,器件的效果最好,起亮电压只需2.87V,亮度最高达到18000cd/m2,是不引入空穴注入层亮度的5倍多,在12V时发光效率可达11.4cd/A。

YL12铝合金铁离子注入层的摩擦学特性研究

对 YL12铝合金进行了铁离子注入 ,用俄歇电子能谱 (AES)分析了注入层剖面元素分布 ,同时考察了注入层的表面显微硬度、脆性和在干摩擦条件下的摩擦磨损特性 .采用扫描电子显微镜 (SEM)对磨痕表面形貌进行了观察分析 .研究结果表明 :铁离子在注入层中沿剖面呈高斯分布 ;注入层表面显微硬度有所增加 ,摩擦系数显著降低 ;当注入剂量为 7× 10 1 6 Fe+ / cm2 时 ,注入试样的耐磨性为未注入试样的 3 80 0倍 ;随着铁离子注入剂量的增大试样的表面脆性增加 ,耐磨性降低 ;注入前材料的磨损机制以粘着磨损和磨粒磨损为主 。

以Liq作为电子注入层的高效有机电致发光器件

利用Liq(8 hydroxy quinolinatolithium)作电子注入层,制备了结构为ITO(indiumtinoxide)/TPD(N,N′ diphenyl N,N′ bis(3 methylphenyl) 1,1′biphenyl 4,4′diamine)/Alq3(tris (8 hydroxy quinolinato)aluminum)/Liq/Al的电致发光器件。实验表明,以Liq作为电子注入层器件的效率约为无Liq器件的5倍。其原因可归于Liq在金属铝电极与Alq3有机层之间产生偶极层,从而形成铝与有机层间的欧姆接触,使电子注入效率大幅提高。

离子注入层的X射线光电子能谱分析

采用金属蒸汽真空弧 ( MEVVA)离子源发出的强束流脉冲钨离子 ,对 H13钢进行了离子注入表面改性研究。借助 X射线光电子能谱仪 ( XPS)考察了注入表面层中钨、氧、铁的化学状态。研究发现 ,钨离子注入层中钨元素以替位钨和三氧化钨形式存在 ,铁元素以金属铁和三氧化二铁形式出现 。

^（57）Fe注入氧化锆陶瓷注入层结构的研究

对氧化钇部分稳定氧化锆在室温下进行５７Ｆｅ离子注入和热退火处理．应用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射技术（ＲＢＳ），喇曼（Ｒａｌｎａｎ）光谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等方法研究了未经退火和退火的离子注入样品中Ｆｅ＋的纵向浓度分布、注入层中各离子的化学结合状态及注入层的结构．

空穴注入层MoO_3厚度对蓝绿色磷光OLED发光特性的影响

以mCP为磷光主体材料,BGIr1为蓝绿色磷光掺杂材料,MoO3为空穴注入材料,制备5种不同厚度的MoO3蓝绿色磷光有机电致发光器件(OLED),并研究不同厚度MoO3空穴注入层对蓝绿色磷光OLED发光特性的影响。所制器件结构为ITO/MoO3(x nm)/NPB(40nm)/mCP∶BGIr1(30nm,18%)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中18%为发光层中BGIr1的掺杂量(质量分数),x为空穴注入层MoO3的厚度。研究结果表明,本实验制备器件空穴注入层MoO3的最佳厚度为20nm。当电压为13V时,MoO3厚度为20nm器件获得最大亮度为8 617cd/cm2,当电流密度为20mA/cm2时,器件获得最大发光效率为5.7cd/A。器件在488和512nm处获得两个主发射峰,发光颜色稳定,CIE坐标为(0.19,0.21)。

不同空穴注入层对有机电致发光器件的影响

研究了不同空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响,结果表明,由于m-MTDATA具有良好的成膜性,以及空穴注入能力,可以改善空穴向发光层的注入,有助于提高器件的效率。

X射线衍射法研究刚玉注入层的结构

用Ｘ射线衍射法和ＰＯＷＤ１２理论计算程序探讨了多晶刚玉Ｆｅ离子注入层的结构变化。