基于DBN的离子注入机故障诊断方法研究

国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故障诊断方法,旨在识别离子注入机的故障类型,以便操作人员定位具体故障位置并实施维修。然后,用六种故障和正常情况总共七种健康状态来评估模型性能。通过实验,深度置信网络模型在离子注入机上的识别正确率为98.66%,准确率及收敛速度均优于传统的机器学习算法。该方法对于复杂结构数据的建模具有强大的能力,在半导体设备故障诊断领域具有应用潜力,有望在国产半导体制造工艺中提高设备可靠性和生产效率。

国产碳化硅离子注入机的设计开发

为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。

集成电路离子注入机发展现状与趋势

离子注入机是集成电路制造的核心装备之一,本文重点介绍了当前集成电路领域离子注入机的分类和基本性能参数,描述了其系统组成以及相关的关键技术;同时,基于集成电路发展趋势,分析了集成电路离子注入机的发展趋势。

混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统

为了进一步提升旋转靶离子注入机的设备产能,提出了一种基于混合扫描式旋转靶离子注入机剂量控制系统;论述了该旋转靶离子注入机剂量控制系统设计思路、工作原理及控制离子束按设定的剂量精确均匀地注入到晶片表面的实现方法。介绍了该剂量控制系统硬件组成,并描述了剂量控制系统的核心部件剂量积分仪的详细硬件设计方案。基于该剂量控制系统的旋转靶离子注入机已批量交付客户使用,注入均匀性和重复性均达到1%以内。

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅(SiC)离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备,其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B^(+)在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状,模拟仿真了B^(+)通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性,并与实际验证结果进行了对比。结果表明:现有SiC离子注入机光路在50~350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性,能够满足SiC离子注入工艺需要。

50型MEVVA源离子注入机

详细介绍了 5 0型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能 .5 0型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的“八六三”计划项目“先进离子束注入技术的工业应用”所取得的成果 。

200kev多功能离子注入机的研制

离子掺杂技术和“离子束——材料相互作用”机制的研究是材料科学与核物理与核技术相结合而发展起来的新兴领域。它研究小型低能加速器产生的荷能离子(几十kev——几Mev)作用于材料所引起的微观结构变化。

低能全元素离子注入机

本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到^(209)Bi;最低能量5keV的As^+、Se^+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。

大角度离子注入机控制系统的研制

介绍了大角度离子注入机控制系统的功能,重点介绍了系统的总体设计和控制模块的设计、主控计算机与子控制器之间的通讯以及控制系统的软件结构设计等。经实验证明,该控制系统稳定、可靠。

用于强流离子注入的气体—金属弧离子注入机

本文介绍了新型的TITAN离子注入系统的结构、特点及工作原理。TITAN源设计思想新颖,是DENNING源与MEVVA源的有机结合,它能给出气体离子,也能给出金属和气体的混合离子,在金属材料改性方面具有潜在的应用前景。笔者对该系统的技术特性及优缺点进行了评述。

离子加速器和离子注入机建设项目环境影响评价

针对某离子加速器和离子注入机建设项目,基于工作原理及放射性污染因素分析,对建设期和运行期可能产生的放射性及非放射性环境影响进行系统分析和评估。从实体屏蔽、安全联锁设计、辐射环境管理等方面提出针对性环境保护措施,将项目实施过程中的不利环境影响最小化。

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。

SiC高温高能离子注入机的离子源热场研究

高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流,针对SiC高温高能离子注入机中的离子源热场问题,采用仿真软件对灯丝、阴极帽和AlX罩的热场、热变形进行了研究,提出了离子源运用过程中的注意事项及改进设计。

一台离子注入机的改进及其在BaTiO_3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。

280keV离子注入机磁分析器的研究

概述了280keV离子注入机磁分析器的设计和性能,详细地讨论了调节磁极面对聚焦的影响.

LC-11型强流离子注入机晶片电荷积累效应分析

通过讨论强流离子注入过程中晶片电荷积累所引起的一系列问题，分析了ＬＣ－１１型强流离子注入机防晶片电荷积累的有效性。

820离子源在600kV离子注入机上的应用

文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。

强流氧离子注入机装卸片控制系统

介绍了一种用于强流氧离子注入机的装卸片控制系统,控制系统采用多轴运动控制器实现了多个电机的协同运动,解决了晶圆在传送过程中的中心偏差校正和角度校正的问题,并最终实现了晶圆的全自动传送。

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合 ,成功地分离出注入的氧峰 .数据处理结果表明 ,氧注量的均匀性以标准偏差表示为 7.8% ,基本上达到了设计要求 .计算了注氧层和表面硅层的厚度 ,并且还对注量进行了校正 .

全机械扫描强流离子注入机重复性研究

对影响全机械扫描强流离子注入机剂量重复性的因素进行了分析。对束流纹波的影响建立了数学模型，计算了束流纹波对剂量重复性的影响。结果表明只要束流纹波在9％以内，剂量重复性可控制在1％以下。