测量薄膜驻极体内注入电荷平均深度的新方法

不少科学工作者在驻极体注入电荷平均深度的测量方面做了很多工作,但测量所用的设备、技术都很复杂,如激光脉冲法等。若用短路TSC测量,为了保持样品与电极接触良好,必须进行电极涂敷,这样就破坏了原有的电荷分布。为此,我们用开路TSC方法对双裸面薄膜驻极体注入电荷的深度进行测定,取得了良好的结果。 1实验原理将两面不蒸金的薄膜驻极体置于上、下电极之间,但不与上、下电极相接触(见图1)。在加热过程中。

电荷注入检测器件的光谱特性和使用中应注意的若干问题

本文介绍了电荷注入器件（ＣＩＤ）的光谱特性，详细地讨论了低温状态下谱线定位和ＣＩＤ保护，分析谱线的选择，混合标准溶液制备以及定量分析的数据处理等问题。

电荷注入检测器电感耦合等离子体光谱仪的稀土元素分析性能

研究了电荷注入检测器电感耦合等离子体发射光谱（ＣＩＤ－ＩＣＰＥＳ）测定稀土元素的分析性能。结果表明，在稀土元素常用谱线波段内（２６０～４４０ ｎｍ）光谱背景发射强度低于４０ＣＰＳ（计数／秒），ＲＳＤ＜０．６％。研究了谱线强度和相对标准偏差的关系，当谱线强度高于５ＣＰＳ时，对于任何稀土元素谱线的ＲＳＤ均低于０．６％。谱线强度降低时，ＲＳＤ逐渐增大。文中给出了稀土元素常用分析谱线的强度值、线背比、背景等效浓度及检出限。

界面电荷注入与积聚行为对直流GIS/GIL绝缘子沿面电场的影响分析

气体绝缘组合电器(gas insulated switchgear,GIS)和气体绝缘金属封闭输电线路(gas insulated metalenclosed transmission line,GIL)运行电流大,设备内部存在明显的温度梯度分布,造成高压电极附近电荷的注入与迁移加剧,导致绝缘子内空间及表面电荷的积聚,畸变电场,容易诱发沿面闪络故障。为此文中建立了电—热耦合应力下直流盆式绝缘子内的电荷注入与积聚模型,研究了考虑电荷注入和迁移特性的绝缘子空间电荷及表面电荷积聚情况,并分析了不同负载电流下绝缘子沿面电场分布规律。研究结果表明:温度梯度下,导体—绝缘界面电荷注入会造成绝缘子内部同极性空间电荷的积聚,并且空间电荷积聚密度会随着负载电流的增大而增大;空间电荷的积聚会减弱高压电极附近电场强度,增强绝缘子凸侧表面法向电场强度,加剧表面电荷的积聚;空间及表面电荷的积聚会使绝缘子表面电势上升,导致接地电极附近电势差增大,电场强度显著增大,地电极三结合点处的场强由空载条件下的1.71 kV/mm增长为额定电流作用下的3.47 kV/mm,增加了103%。该研究结果有助于理解温度梯度下直流绝缘子表面电场畸变机理,并对直流绝缘子的优化设计和安全运行有一定的参考价值。

操作冲击电压下碳酸丙烯酯中空间电荷的注入与输运过程

为了阐明液体电介质在冲击电压作用下空间电荷的动态过程及其对电介质击穿性能的影响,采用基于克尔电光效应的方法,测量了在操作冲击电压作用下碳酸丙烯酯液体电介质中空间电荷的注入与输运过程。实验结果显示了碳酸丙烯酯在电场作用下强烈的空间电荷效应,双极同极性电荷注入加强了对极板的屏蔽作用,降低了电极附近的电场,从而提高了平板电极间液体的击穿性能。根据实验结果,建立了双极同极性空间电荷注入与输运模型,通过该模型计算了电场、空间电荷、介质电导率和能量耗散密度随时间和空间位置的分布,及注入电流随时间的变化规律。仿真结果与克尔电光测量结果较吻合,模型验证了液体中空间电荷注入是由双电层引起的,并与液体中电化学过程共同决定了空间电荷的输运过程。

电荷注入检测器-等离子体光谱仪光度精度与分析参数的关系

研究了电荷注入检测器 (CID)等离子体光谱仪 (ICP -AES)的光度精度和分析参数的关系。实验结果表明 ,较高的等离子体功率和雾化系统载气压力可得到较好的谱线强度测量的光度精度。CID -ICP光谱仪的光度精度 (RSD <4 % )优于电磁驱动顺序等离子体光谱仪 (RSD<1 0 % )。

电荷注入检测器电感耦合等离子体光谱仪测定非金属元素的分析性能

研究了电荷注入检测器ICP光谱仪测定非金属元素的分析性能。以S、P、As、Se为代表的非金属元素在 1 70～ 80 0nm波段内最灵敏的谱线均处于 1 75～ 2 0 0nm远紫外区内。在此区内等离子体有很低的光谱背景发射和良好的谱线测量和背景测量的光度精度。标准曲线线性动态范围在 4个数量级。给出了As、Se、S、P主要分析线的灵敏度、线背比、背景等效浓度及检出限。在纯水溶液中的检出限分别为 :As 1 89.1 4 2nm 0 0 0 3mg L,P 2 1 3 .61 8nm 0 .0 0 5mg L ,S 1 80 .73 1nm 0 .0 1mg L ,Se 1 96.0 90nm 0 .0 0 9mg L。

电荷注入检测器电感耦合等离子体光谱仪测定碱金属的分析性能

研究了带有电荷注入检测器的等离子体光谱仪测定Li、Na、K的分析性能。测定了碱金属主要分析线的检出限，标准曲线的线性动态范围，元素间的相互影响。探讨了ＲＳＤ与浓度的关系及Ｎａ对等离子体稳健性的影响。

OLED器件电荷注入模型的MATLAB分析计算

介绍了电荷从OLED金属电极注入到一个随机跳跃体系(例如配对聚合物或分子掺杂聚合物)的模型。它包括电荷载流子从电极的费米能级到介质跳跃态分布尾态之间的注入,其结果可能是电荷载流子返回到电极,或者是受到镜像引力势的作用而形成扩散逃逸。后者类似于一维Onsager型激子解离。该模型将注入电流处理为电场、温度以及跳跃态分布能量宽度的函数。提出了OLED器件中相对电流密度的概念。介绍了用MATLAB软件分析计算该模型的方法和技巧。

电荷注入检测器电感耦合等离子体光谱仪测定铂族元素的性能

研究了用电荷注入检测器等离子体光谱仪测定铂族元素的分析性能。结果表明铂族元素有较好的检出限和 1 0 4以上的线性动态范围 ,铂族元素间光谱干扰很少 ,在元素浓度 >1mg L时测量精度可优于 1 % 。

电极表面涂敷对电荷注入的影响

在强电场的作用下，绝缘介质中的载流子除杂质离子外一般是来自电极注入．文中采用电极表面涂敷改性ＳＰ硅漆，形成“金属电极－涂敷层－液体介质”复合界面，有效地降低了电极注入强度．由于电极注入与其极板极性有着密切关系，还讨论了涂敷不同极性的电极极板对电荷注入的影响．

有机玻璃中的电荷注入和传播

将高压电场通过平行平板铜电极加到有机玻璃(PMMA)上时,发现有单一极性的正电荷注入现象.电荷密度为1.6×10^(-2)C/m^3.这导致正负电极处电场分别具有相对平均电场10%的减弱和加强.采用单极性电荷注入传播数学模型的数值解与试验结果一致.

异质结电荷注入晶体管

通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．

基于电荷注入机制的驱动电压可重构的MEMS开关

本文提出了一种新方法来解决传统静电驱动的电容式微机电(MEMS)开关的驱动电压过高的问题。通过对介质层预先注入和存储适量的电荷,在该介质层中形成稳定的内建电势,这将优化MEMS固支梁的下拉操作,从而有效降低MEMS开关的驱动电压。此外,在开关制备完成后,仍可通过调控介质层中注入电荷的数目来调节内建电势大小,从而在不改变MEMS开关结构参数的条件下实现MEMS开关驱动电压的可重构功能。建立了该新型MEMS开关的解析模型,对该新型模型进行分析,并验证了模型的正确性。

一种低电荷注入误差的开关电流电路

对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号大小有关的电荷注入误差变为与信号无关的电荷注入误差。并以此为基础,采用dummy结构或全差分结构,进一步消除该误差。用0.35μm模型参数进行了HSPICE仿真,结果证明,该结构能很好地降低电荷注入误差,提高SI电路的精度。

甲乙类电流记忆单元中电荷注入误差的消除

针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置.设计了一种具有极低电荷注入误差的甲乙类开关电流存储单元电路.采用上华半导体有限公司（CSMC）的5 V,0.6μm双层多晶双层金属互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺对存储单元进行设计.模拟结果表明：改进后的存储单元可工作在2.5~5 V电压条件下;在输入频率为500 kHz,幅度为50μA正弦电流,采样信号频率10 MHz条件下,输出电流的误差仅为未采用补偿方案的单元电路误差电流的0.212%,同常用的伪MOS开关补偿方法相比,误差电流减小了85.5%.

充放电电容检测电路中电荷注入影响的补偿

在电容成像系统中 ,由于采用充放电电容检测电路 ,从而存在着 CMOS模拟转换开关所带来的电荷注入问题 .这里给出一种补偿方法 ,使得可以通过充放电电路本身来测得的电荷注入电容得到补偿 ,并经过实验证明了这种补偿的有效性 .

油品内刷状电极电荷注入的仿真分析

为了提高油品内有源静电消除的效果,提出刷状电极的结构,针对不同刷状电极的结构在油品内的电荷注入进行了研究。采用有限元的方法,对不同电极结构下的电荷注入进行模拟,并计算出每个电极结构相对应的平均冲流电流,由平均冲流电流的大小来确定电荷注入的强弱。根据刷状电极的特点,针面上相邻放电针的角度和相邻针面的距离确定电极的结构。基于不同电极结构下的平均冲流电流数值,分析相邻放电针的角度和相邻针面的距离对平均冲流电流的影响,对电极的结构展开优化。仿真结果表明,相邻放电针的角度和相邻针面的距离均存在临界值,使得平均冲流电流最大。为验证模拟结果的可靠性,对不同相邻针面的距离的刷状电极,展开油品内电荷注入的实验。实验结果表明,模拟和实验得到的结果一致。

一种有效减小沟道电荷注入效应的二阶开关电容低通滤波器的设计

本文给出了一种二阶开关电容低通滤波器的设计，重点分析了其减小沟道电荷注入效应的两种方法。Hspice仿真结果表明：这种电路结构几乎不受沟道电荷注入效应的影响。

具有失调和电荷注入补偿的高分辨率二级增量A/D变换器

过采样和噪声整形中的∑-△调制是高精度A/D变换器中使用的一种著名技术。通信应用就使用这样的变换器,它的特性是由交流性能(如信噪比)来表征的,而且主要是用于允许有失调和增益误差的场合。另一方面,在测量和仪表应用中却要求绝对精度,例如不允许有失调误差和增益误差。这些应用是通过直流特性,如微分和积分线性误差、失调和增益误差等,来表征的,常常要求很高的分辨率。二级增量A/D变换器就可满足这样的要求,这种变换器使用了简单的数字滤波器中的∑-△调制技术。作者通过采用SACMOS 3μm技术制作的电路进行了实验,结果表明,即使用低的参考电压也完全可以获得15位的绝对精度。