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一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型
被引量:
4
1
作者
王佩
李磊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第9期61-64,共4页
单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计...
单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98.41%,同时可将电路模拟时间缩短3个数量级,在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中,具有明显的模拟速度优势,为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础.
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关键词
单粒子效应
抗辐射加固
Weibull函数
注入脉冲模型
下载PDF
职称材料
题名
一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型
被引量:
4
1
作者
王佩
李磊
机构
电子科技大学电子科学技术研究院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010年第9期61-64,共4页
文摘
单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一.根据空间辐射粒子特点,提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型,该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述.实验证明,该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98.41%,同时可将电路模拟时间缩短3个数量级,在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中,具有明显的模拟速度优势,为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础.
关键词
单粒子效应
抗辐射加固
Weibull函数
注入脉冲模型
Keywords
SEE
radiation hardening
Weibull function
particle-injected model
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型
王佩
李磊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2010
4
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