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基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
1
作者
杨勇
郝达兵
+1 位作者
王玉林
李智群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期553-556,共4页
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情...
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。
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关键词
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子
注入
注入-扩散法
工艺重复性
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职称材料
题名
基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
1
作者
杨勇
郝达兵
王玉林
李智群
机构
中国电子科技集团公司第五十五研究所
东南大学集成电路学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期553-556,共4页
文摘
根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。
关键词
计算机辅助设计技术
超突变结变容二极管
离子
注入
注入-扩散法
工艺重复性
Keywords
technology computer aided design (TCAD)
hyperabrupt varactor diode
ion implant
implant
-
diffuse process
repeatability of the process
分类号
TN312.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计
杨勇
郝达兵
王玉林
李智群
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
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