不同制备工艺对SIMOX结构应力的影响

对不同制备工艺的SIMOX样品，用Raman散射法作了应力测量和比较．结果显示，在1300℃、6小时的退火条件下，整片单次注入／退火与三次注入／退火对样品的应力无明显影响，正面张应力都≤5×103N／cm2．且均匀分布，背面无应力．N2、N2＋1％O2、Ar＋0．5％O2等不同退火气氛对应力也无明显影响．局部注入会在SIMOX样品的顶层硅中产生较高的应力，且在高温长时间退火后背面衬底中还有应力存在．