激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响

电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替。激发光波长亦可影响蓝光发射,如260nm的激发光将引起在360nm光激发下所获得的431nm蓝光峰的蓝移。

退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。

注C^+外延硅的光致发光特性

在 N型外延硅中注入 C+并经高温退火形成了 Si C沉积 .不同条件下进行阳极氧化腐蚀后 ,在 2 6 0 nm光激发下获得了 340 nm和 4 30 nm的紫外和紫光峰 ,它们的单色性很好 ,半高宽 (FWHM)约为 10 nm.在以上条件下 Si C沉积并未多孔化 ,认为 340 nm和 4 30 nm峰可能源于样品中的 C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心 .讨论了各种发光中心形成的可能条件 ,并对实验结果做出了初步解释 .