注F场氧介质总剂量辐照的研究

分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连，而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 .

预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响

对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 。

注F^+NMOSFET的电离辐照与退火特性

比较了CC4007电路栅介质中注F1和未注F1的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F1的引入能明显降低器件的辐照敏感性,提高器件的可靠性能。表现为在同样辐照偏置下注F1器件比未注F1器件的阈电压漂移小,辐照后退火期间的界面态、氧化物电荷变化稳定。

Generalized Contact Manifolds

We study a Riemannian manifolds M with a f-structures. If the tangent bundle of the Riemannian manifolds is TM=DD⊥ dimD=2P,dimD⊥=q=n-2p≥1. We can define a generalized contact manifolds, get some property of it.

中西医结合治疗充血性心力衰竭44例

采用静脉滴注参附黄芪注射液配合口服葶苈母丹茯苓汤及小剂量地高辛等治疗充血性心力衰竭44例 ,并与单纯用西药治疗 44例进行对照。结果 :治疗组显效 38例 ,有效 4例 ,无效 2例 ,总有效率为95 .5 % ;对照组显效 16例 ,有效 16例 ,无效 12例 ,总有效率为 72 .7%。两组比较有显著性差异 ( P<0 .0