期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于漂移阶跃恢复二极管开关的脉冲源仿真计算
被引量:
8
1
作者
王亚杰
何鹏军
+3 位作者
荆晓鹏
铁维昊
解江远
赵程光
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期86-91,共6页
介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作原理和特性,总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的等效模型,建立了其正反向泵浦电路的仿真模型,按照输出电压参数的要求,对主储能电感、初级储能电感的取...
介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作原理和特性,总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的等效模型,建立了其正反向泵浦电路的仿真模型,按照输出电压参数的要求,对主储能电感、初级储能电感的取值进行了仿真计算分析,并得到了主回路各元件参数的最优值。通过仿真分析了MOSFET漏源端寄生电容与限压并联电容对输出参数的影响,得到了限压并联电容最优值为0.2nF,通过计算与仿真得到隔直电容的最优值为100pF。研制了一款可连续输出的脉冲功率源,其重复频率为1 MHz,脉冲前沿等于680ps(20%~90%),电压幅值2kV,半高宽1.5ns。
展开更多
关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
亚纳秒
高重频
下载PDF
职称材料
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
2
作者
谯彬
陈万军
+3 位作者
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期96-100,共5页
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布...
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并加速载流子抽取。利用Sentaurus TCAD进行了器件电路联合仿真。结果表明,在具有相同峰值的电压情况下,新结构器件的正向注入结束时空穴最大速度较传统结构提升了29%,电压上升率为19.7 kV/ns,较传统结构(15.8 kV/ns)提升了25%。新结构使反向泵浦阶段的时间降低,输出的电压脉冲前沿的上升率更大,且工艺流程只需调节外延时的气体剂量,工艺上可实现。
展开更多
关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
碳化硅
内建电场
变掺杂
下载PDF
职称材料
题名
基于漂移阶跃恢复二极管开关的脉冲源仿真计算
被引量:
8
1
作者
王亚杰
何鹏军
荆晓鹏
铁维昊
解江远
赵程光
机构
西安电子工程研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期86-91,共6页
文摘
介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作原理和特性,总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的等效模型,建立了其正反向泵浦电路的仿真模型,按照输出电压参数的要求,对主储能电感、初级储能电感的取值进行了仿真计算分析,并得到了主回路各元件参数的最优值。通过仿真分析了MOSFET漏源端寄生电容与限压并联电容对输出参数的影响,得到了限压并联电容最优值为0.2nF,通过计算与仿真得到隔直电容的最优值为100pF。研制了一款可连续输出的脉冲功率源,其重复频率为1 MHz,脉冲前沿等于680ps(20%~90%),电压幅值2kV,半高宽1.5ns。
关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
亚纳秒
高重频
Keywords
drift step recovery diode
pumping circuit
sub-nanosecond
high frequency
分类号
TN313 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
2
作者
谯彬
陈万军
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期96-100,共5页
基金
四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(ZYGX2016Z006)。
文摘
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求。文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并加速载流子抽取。利用Sentaurus TCAD进行了器件电路联合仿真。结果表明,在具有相同峰值的电压情况下,新结构器件的正向注入结束时空穴最大速度较传统结构提升了29%,电压上升率为19.7 kV/ns,较传统结构(15.8 kV/ns)提升了25%。新结构使反向泵浦阶段的时间降低,输出的电压脉冲前沿的上升率更大,且工艺流程只需调节外延时的气体剂量,工艺上可实现。
关键词
漂移阶跃恢复二极管
泵浦电路
碳化硅
内建电场
变掺杂
Keywords
drift step recovery diode
pump circuit
silicon carbide
built-in electric field
variable doping
分类号
TN313.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于漂移阶跃恢复二极管开关的脉冲源仿真计算
王亚杰
何鹏军
荆晓鹏
铁维昊
解江远
赵程光
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
8
下载PDF
职称材料
2
新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管
谯彬
陈万军
高吴昊
夏云
张柯楠
孙瑞泽
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部