期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于跑道型微环谐振腔的Fano共振器件设计及传感特性研究
被引量:
5
1
作者
高洁
张东亮
+1 位作者
鹿利单
任光辉
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2021年第5期24-30,共7页
与传统洛伦兹线形相比,具有不对称线形的Fano共振光谱有更高的光谱分辨率,尤其适合传感应用。通过在硅基总线波导与跑道微环谐振腔耦合区域引入两个空气孔使得连续光谱产生突变相移,并与跑道微环谐振腔耦合形成Fano共振,且在较宽谱段范...
与传统洛伦兹线形相比,具有不对称线形的Fano共振光谱有更高的光谱分辨率,尤其适合传感应用。通过在硅基总线波导与跑道微环谐振腔耦合区域引入两个空气孔使得连续光谱产生突变相移,并与跑道微环谐振腔耦合形成Fano共振,且在较宽谱段范围内的每个共振峰都表现为非对称线形。通过仿真优化耦合间距以及空气孔与耦合区域中心的偏移量,获得最大光谱分辨率为312.05 dB/nm,消光比为53.09 dB的硅基Fano共振器件。在模仿被液体的折射率变化范围为1.33~1.332的条件下,仿真得到折射率传感灵敏度为125 nm/RIU。仿真结果表明本论文提出的器件结构简单,尺寸紧凑且制造误差小,为硅光子器件应用到高灵度敏度的集成生化传感提供新思路。
展开更多
关键词
Fano共振
跑道结构
洛伦兹线形
折射率灵敏度
下载PDF
职称材料
InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
被引量:
1
2
作者
余晨辉
王茺
+2 位作者
龚谦
张波
陆卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期4934-4939,共6页
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G...
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
展开更多
关键词
压电调制光谱
InAs/GaAs表面量子点
洛伦兹线形
拟合
原文传递
题名
基于跑道型微环谐振腔的Fano共振器件设计及传感特性研究
被引量:
5
1
作者
高洁
张东亮
鹿利单
任光辉
机构
北京信息科技大学光电测试技术及仪器教育部重点实验室
北京信息科技大学光纤传感与系统北京实验室
出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2021年第5期24-30,共7页
基金
国家自然科学基金(61735002)项目资助。
文摘
与传统洛伦兹线形相比,具有不对称线形的Fano共振光谱有更高的光谱分辨率,尤其适合传感应用。通过在硅基总线波导与跑道微环谐振腔耦合区域引入两个空气孔使得连续光谱产生突变相移,并与跑道微环谐振腔耦合形成Fano共振,且在较宽谱段范围内的每个共振峰都表现为非对称线形。通过仿真优化耦合间距以及空气孔与耦合区域中心的偏移量,获得最大光谱分辨率为312.05 dB/nm,消光比为53.09 dB的硅基Fano共振器件。在模仿被液体的折射率变化范围为1.33~1.332的条件下,仿真得到折射率传感灵敏度为125 nm/RIU。仿真结果表明本论文提出的器件结构简单,尺寸紧凑且制造误差小,为硅光子器件应用到高灵度敏度的集成生化传感提供新思路。
关键词
Fano共振
跑道结构
洛伦兹线形
折射率灵敏度
Keywords
Fano resonance
racetrack structure
Lorentzian line shape
refractive index sensitivity
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
被引量:
1
2
作者
余晨辉
王茺
龚谦
张波
陆卫
机构
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期4934-4939,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10474107)资助的课题.~~
文摘
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
关键词
压电调制光谱
InAs/GaAs表面量子点
洛伦兹线形
拟合
Keywords
piezomodulated reflectance spectra, InAs/GaAs surface QDs, Lorentz line shape fitting
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于跑道型微环谐振腔的Fano共振器件设计及传感特性研究
高洁
张东亮
鹿利单
任光辉
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2021
5
下载PDF
职称材料
2
InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
余晨辉
王茺
龚谦
张波
陆卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部