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基于跑道型微环谐振腔的Fano共振器件设计及传感特性研究 被引量:5
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作者 高洁 张东亮 +1 位作者 鹿利单 任光辉 《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2021年第5期24-30,共7页
与传统洛伦兹线形相比,具有不对称线形的Fano共振光谱有更高的光谱分辨率,尤其适合传感应用。通过在硅基总线波导与跑道微环谐振腔耦合区域引入两个空气孔使得连续光谱产生突变相移,并与跑道微环谐振腔耦合形成Fano共振,且在较宽谱段范... 与传统洛伦兹线形相比,具有不对称线形的Fano共振光谱有更高的光谱分辨率,尤其适合传感应用。通过在硅基总线波导与跑道微环谐振腔耦合区域引入两个空气孔使得连续光谱产生突变相移,并与跑道微环谐振腔耦合形成Fano共振,且在较宽谱段范围内的每个共振峰都表现为非对称线形。通过仿真优化耦合间距以及空气孔与耦合区域中心的偏移量,获得最大光谱分辨率为312.05 dB/nm,消光比为53.09 dB的硅基Fano共振器件。在模仿被液体的折射率变化范围为1.33~1.332的条件下,仿真得到折射率传感灵敏度为125 nm/RIU。仿真结果表明本论文提出的器件结构简单,尺寸紧凑且制造误差小,为硅光子器件应用到高灵度敏度的集成生化传感提供新思路。 展开更多
关键词 Fano共振 跑道结构 洛伦兹线形 折射率灵敏度
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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究 被引量:1
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作者 余晨辉 王茺 +2 位作者 龚谦 张波 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4934-4939,共6页
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明. 展开更多
关键词 压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点 洛伦兹线形拟合
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