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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
被引量:
1
1
作者
余晨辉
王茺
+2 位作者
龚谦
张波
陆卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期4934-4939,共6页
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G...
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
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关键词
压电调制光谱
InAs/GaAs表面量子点
洛伦兹线形拟合
原文传递
题名
InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
被引量:
1
1
作者
余晨辉
王茺
龚谦
张波
陆卫
机构
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第9期4934-4939,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10474107)资助的课题.~~
文摘
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.
关键词
压电调制光谱
InAs/GaAs表面量子点
洛伦兹线形拟合
Keywords
piezomodulated reflectance spectra, InAs/GaAs surface QDs, Lorentz line shape fitting
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究
余晨辉
王茺
龚谦
张波
陆卫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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