腐蚀法制备碳化硅量子点标记材料及其光学性能

以硝酸和氢氟酸为腐蚀液对自蔓延燃烧合成的纳米均质碳化硅颗粒进行腐蚀，而后进行超声空化破碎分散及高速离心处理，获得无细胞毒性的碳化硅量子点标记材料，对其微观结构的演变过程及光学性能进行检测，对出芽短梗霉菌（Aureobasidium pulluans）活体细胞进行标记并长时程荧光成像。结果表明，自蔓延合成的SiC粉体颗粒极易腐蚀成网格状镂空结构，超声空化破碎及高速离心层析剪裁后获得尺寸高度单分散的碳化硅量子点（约为1～2.5nm），小于体材料的激子Bohr直径（5.4nm），会产生强烈的光致发光效应。活体细胞标记及荧光成像结果表明，腐蚀法制备出的碳化硅最子点具有较高的生物相容性，同时对其标记及长时程荧光成像原理进行了初步探讨。