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活化Mo-Mn法中低温烧成技术研究
1
作者
朴文博
李迎迎
+1 位作者
黄亦工
崔高鹏
《真空电子技术》
2022年第1期61-66,共6页
以降低活化Mo-Mn法烧成温度为目的,利用MnO-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)相图,设计了17组金属化配方,通过拉力测试、X射线衍射物相分析、扫描电镜测试及能谱分析,研究了不同活化剂配方对金属化层力学性能及显微结构的影响。本试验成功将活化Mo-M...
以降低活化Mo-Mn法烧成温度为目的,利用MnO-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)相图,设计了17组金属化配方,通过拉力测试、X射线衍射物相分析、扫描电镜测试及能谱分析,研究了不同活化剂配方对金属化层力学性能及显微结构的影响。本试验成功将活化Mo-Mn法烧结温度降低至1350℃,得到的金属化层显微结构致密均匀,力学性能及气密性良好,其三点封接强度可达470 MPa,远超行业标准。
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关键词
活化mo-mn法
中低温
相图
活化
剂
玻璃相
下载PDF
职称材料
Al_(2)O_(3)/Cu的界面微观结构及封接性能
被引量:
1
2
作者
范彬彬
赵林
+2 位作者
谢志鹏
康丁华
刘溪海
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第1期241-248,共8页
采用活化Mo-Mn法和活性金属钎焊(AMB)工艺对Al_(2)O_(3)陶瓷进行金属化处理,分别研究了两种金属化工艺的界面形貌、新相的形成及显微结构的演变,并测试了Al_(2)O_(3)/Cu的力学性能和气密性。研究表明:采用活化Mo-Mn法的封接界面处出现...
采用活化Mo-Mn法和活性金属钎焊(AMB)工艺对Al_(2)O_(3)陶瓷进行金属化处理,分别研究了两种金属化工艺的界面形貌、新相的形成及显微结构的演变,并测试了Al_(2)O_(3)/Cu的力学性能和气密性。研究表明:采用活化Mo-Mn法的封接界面处出现玻璃相的迁移,形成了立方相MnAl_(2)O_(4),可以提高封接强度。AMB工艺中活性元素Ti与Al_(2)O_(3)反应依次形成厚度为0.64μm的TiO和1.03μm的Cu_(3)Ti_(3)O。各层间热膨胀系数(CTE)的差异给钎焊接头提供了良好的热弹性相容性且降低了残余应力。活化Mo-Mn法的封接强度((60.2±7.7)MPa)比AMB工艺((43.1±6.9)MPa)高,但在气密性方面两者并无明显差别(均在2.3×10^(-11) Pa·m^(3)·s^(-1)左右)。
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关键词
陶瓷-金属封接
Al_(2)O_(3)/Cu界面
活化mo-mn法
AMB工艺
金属化
封接性能
下载PDF
职称材料
题名
活化Mo-Mn法中低温烧成技术研究
1
作者
朴文博
李迎迎
黄亦工
崔高鹏
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
2022年第1期61-66,共6页
文摘
以降低活化Mo-Mn法烧成温度为目的,利用MnO-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)相图,设计了17组金属化配方,通过拉力测试、X射线衍射物相分析、扫描电镜测试及能谱分析,研究了不同活化剂配方对金属化层力学性能及显微结构的影响。本试验成功将活化Mo-Mn法烧结温度降低至1350℃,得到的金属化层显微结构致密均匀,力学性能及气密性良好,其三点封接强度可达470 MPa,远超行业标准。
关键词
活化mo-mn法
中低温
相图
活化
剂
玻璃相
Keywords
Activated
mo-mn
method
Medium and low temperature
Phase diagram
Activator
Glassy phase
分类号
TB756 [一般工业技术—真空技术]
下载PDF
职称材料
题名
Al_(2)O_(3)/Cu的界面微观结构及封接性能
被引量:
1
2
作者
范彬彬
赵林
谢志鹏
康丁华
刘溪海
机构
景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院
清华大学材料学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司
出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022年第1期241-248,共8页
基金
国家自然科学基金(52072201,51962011)。
文摘
采用活化Mo-Mn法和活性金属钎焊(AMB)工艺对Al_(2)O_(3)陶瓷进行金属化处理,分别研究了两种金属化工艺的界面形貌、新相的形成及显微结构的演变,并测试了Al_(2)O_(3)/Cu的力学性能和气密性。研究表明:采用活化Mo-Mn法的封接界面处出现玻璃相的迁移,形成了立方相MnAl_(2)O_(4),可以提高封接强度。AMB工艺中活性元素Ti与Al_(2)O_(3)反应依次形成厚度为0.64μm的TiO和1.03μm的Cu_(3)Ti_(3)O。各层间热膨胀系数(CTE)的差异给钎焊接头提供了良好的热弹性相容性且降低了残余应力。活化Mo-Mn法的封接强度((60.2±7.7)MPa)比AMB工艺((43.1±6.9)MPa)高,但在气密性方面两者并无明显差别(均在2.3×10^(-11) Pa·m^(3)·s^(-1)左右)。
关键词
陶瓷-金属封接
Al_(2)O_(3)/Cu界面
活化mo-mn法
AMB工艺
金属化
封接性能
Keywords
ceramic-metal sealing
Al_(2)O_(3)/Cu interface
activated
mo-mn
method
AMB process
metallization
sealing performance
分类号
TG454 [金属学及工艺—焊接]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
活化Mo-Mn法中低温烧成技术研究
朴文博
李迎迎
黄亦工
崔高鹏
《真空电子技术》
2022
0
下载PDF
职称材料
2
Al_(2)O_(3)/Cu的界面微观结构及封接性能
范彬彬
赵林
谢志鹏
康丁华
刘溪海
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
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参考文献
引证文献
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