活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程

本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.

射频负偏压与放电电流对cBN薄膜形成的影响

用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ） 装置， 在Ｎ２／Ａｒ 混合等离子体弧光放电气氛下， 通过电子束蒸镀纯硼， 同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法， 在单晶硅（１００） 基片上成功地合成了立方氮化硼（Ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ， 简称ｃＢＮ） 薄膜， 并对基片射频自偏压和等离子体弧光放电电流对ｃＢＮ 膜形成的影响进行了研究。用富立叶变换红外（ＦＴＩＲ） 透射谱和ＡＥＳ对沉积的膜进行相结构和化学成分分析。ＦＴＩＲ 透射谱表明， 在波数约１ ０６０ｃｍ － １ 处， 存在很强的ｃＢＮ 的吸收峰。随基片所加射频负偏压及等离子体弧光放电电流的增大， 膜中的ｃＢＮ 含量增大； 当射频偏压为－ ２００ Ｖ， 放电电流为１５ Ａ 时， 沉积的膜为单相ｃＢＮ 膜。ＡＥＳ 的成分深度分布表明，ｃＢＮ 膜中的Ｂ， Ｎ