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氮化硅陶瓷及其与金属的接合技术 被引量:7
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作者 刘征 王腾飞 +1 位作者 张伟儒 高陇桥 《真空电子技术》 2015年第4期1-5,共5页
本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员。文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺。试验结果表明:用活性法工艺,在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa... 本文叙述了氮化硅陶瓷的发展趋势,特别强调了改进制造工艺,有可能提高其热导率而成为高热导率陶瓷家族中的一员。文中系统地介绍了氮化硅陶瓷与金属的接合工艺。试验结果表明:用活性法工艺,在国内首次成功地完成高气密性(Q≤10-11 Pa·m/s)和高强度(σ拉=144 MPa)的Si3N4-Cu封接件。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 陶瓷与金属接合 活性法封接工艺 气密性
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