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NAND Flash控制器中RS码的设计与验证 被引量:3
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作者 张文静 姚智慧 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2013年第7期2590-2594,共5页
由于工艺制约,NAND Flash存储器会出现位差错现象,为此引入了RS码保证其数据完整性和正确性。在研究RS码基本原理基础上,给出了编码和译码的电路实现,其中采用并行结构实现钱式搜索电路、采用流水线架构实现译码。与传统方法相比,该实... 由于工艺制约,NAND Flash存储器会出现位差错现象,为此引入了RS码保证其数据完整性和正确性。在研究RS码基本原理基础上,给出了编码和译码的电路实现,其中采用并行结构实现钱式搜索电路、采用流水线架构实现译码。与传统方法相比,该实现缩短了计算周期,提高了最高工作频率。在Quartus平台下对RS编译码模块进行功能仿真,仿真结果表明,该纠错码能够满足NAND flash存储器纠错要求,是一种正确适用的纠错方案。 展开更多
关键词 存储器 编码 译码 并行结构 流水线架构案 功能仿真
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