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题名NAND Flash控制器中RS码的设计与验证
被引量:3
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作者
张文静
姚智慧
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机构
中国航天科工集团第二研究院
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出处
《计算机工程与设计》
CSCD
北大核心
2013年第7期2590-2594,共5页
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文摘
由于工艺制约,NAND Flash存储器会出现位差错现象,为此引入了RS码保证其数据完整性和正确性。在研究RS码基本原理基础上,给出了编码和译码的电路实现,其中采用并行结构实现钱式搜索电路、采用流水线架构实现译码。与传统方法相比,该实现缩短了计算周期,提高了最高工作频率。在Quartus平台下对RS编译码模块进行功能仿真,仿真结果表明,该纠错码能够满足NAND flash存储器纠错要求,是一种正确适用的纠错方案。
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关键词
存储器
编码
译码
并行结构
流水线架构案
功能仿真
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Keywords
storage
encoder
decoder
parallel structure
pipelining strueture
function simulation
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分类号
TP309
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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