基于0.18μm工艺SOI技术60V LDMOS的设计与分析

随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,并结合实际流片的测试结果,对器件直流性能进行了表征与分析,发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应,实现了性能优良的小尺寸60 V LDMOS器件。

55V沟槽型功率场效应管设计

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

基于0.18μm CMOS工艺实现无EPI新型LDMOS器件

应对电源管理市场对18 V高压应用的需求,研制了一种无EPI、在一般Si衬底片上的、基于0.18μm CMOS工艺技术的集成横向扩散,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOS)。运用Sentaurus器件仿真模拟软件完成了18 V LDMOS的设计与优化,并结合实际的流片测试结果,对器件的直流特性、击穿电压、导通电阻进行了表征和分析。设计研制成的LDMOS不仅尺寸小、结构简单,而且可以和低压器件自主隔离集成在一起,器件性能优良且性能稳定,可以满足电源管理芯片对耐高压的基本需求。