量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1s3/2(Γ6)基态到同种宇称2s3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.

δ-搀杂GaAs/AlAs多量子阱中铍受主远红外吸收研究

报道了在GaAs中均匀搀杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱中δ-搀杂浅受主杂质铍(Be)原子带内跃迁的远红外吸收研究.在4.2K温度下实验测量的远红外吸收谱中清楚地观察到了三条主要的浅受主带内跃迁吸收线,它们分别来源于铍受主基态到它的三个奇宇称激发态的跃迁.应用变分原理,我们计算了量子限制铍受主2p激发态到1s基态跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.通过比较发现,2pz→1s跃迁能量理论计算符合类-D吸收线的实验结果.