场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计

采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。

场板结构浅平面结高压器件

本文采用浅平面结制作场板结构高压器件。根据二维模拟器件击穿电压分析结果选择器件参数：结深，场氧化层厚度，场板宽度和内部电极间距。实测结果，半绝缘钝化结构击穿电压的计算值与实验值相差较大，而绝缘层钝化结构的两者较接近。