浅施主杂质在对称GaAs/Al_xGa_(1-x)As双量子阱中的束缚能

为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．

外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质

在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。

分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探

采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阶线中来考察矩形横截面量子饼线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面积矩形横截面量子陕线中杂质的等效维数和结合能受量子阶线形状的影响进行了详细的讨论．

施加平行磁场的多量子阱中浅施主杂质态的理论计算

本文的目的是要推导关于平行磁场中浅施主杂质能级计算的精确理论。