强外场调控下半导体中浅杂质态的光学吸收特性

理论研究了法拉第位形下强太赫兹激光场、磁场以及压强作用下半导体中浅杂质态非线性光学性质.利用含时非微扰理论——强太赫兹激光场效应被精确包含在激光缀饰库仑势中——和变分法计算出浅杂质态电子能级和波函数,然后基于紧致密度矩阵方法研究强外场和压强对浅杂质态1s→2p_(z)跃迁的线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的影响.研究发现压强和强外场通过激光缀饰库仑势可调控跃迁能和几何因子的增大或减小,所以饱和吸收不但依赖于入射光强和弛豫时间而且还依赖于强外场,在强激光场强度和回旋共振区域附近饱和吸收更容易实现.线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的共振峰位置和振幅,在选取合适的外场参数下不但受到强外场的有效调控,而且还受到压强的强烈影响.研究结果为设计强外场调控的新型高效基于杂质电子器件提供了理论支持.

单轴异性对氮化物半导体中浅杂质态的影响

利用变分法研究纤锌矿结构氮化物半导体材料中的浅杂质态问题.采用London模型,用变分法计算浅杂质态的结合能,研究材料的单轴异性对浅杂质态的结合能的影响.对G aN,A lN和InN三种材料进行数值计算,给出了结合能随异性角(总动量与主轴之间的夹角)的变化关系,结果表明结构异性对结合能的影响显著.

施加平行磁场的多量子阱中浅施主杂质态的理论计算

本文的目的是要推导关于平行磁场中浅施主杂质能级计算的精确理论。

半无限晶体近表面内浅态施主杂质的基态能量

本文用变分法计算了半无限晶体近表面内浅态施主杂质的基态能量.计算中采用了共焦椭球坐标系.得出了系统能量随离表面距离变化的表式.