微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究

利用低温（８Ｋ）远红外吸收技术，研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响，指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力，而微氮硅中的浅热施主和氧－氮复合体直接相关。

碳杂质对直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响

本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明:碳杂质显著降低了掺氮直拉硅单晶在650℃退火时所形成的氮氧复合体浅热施主浓度。此外,研究还发现碳杂质使掺氮直拉硅单晶在650℃退火时形成了碳氧复合体和更多的氧沉淀核心,由此消耗了更多的间隙氧原子。这一发现被认为是碳杂质抑制掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的主要原因。