1
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源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟 |
赵洪辰
海潮和
韩郑生
钱鹤
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
9
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2
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ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究 |
陈俊芳
王卫乡
任兆杏
丁振峰
王道修
宋银根
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
5
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3
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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术 |
成立
李春明
王振宇
祝俊
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
5
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4
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硅浅结紫外光探测器的研究 |
陈武
王勇
王水弟
单一林
MikkoMatikkala
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2000 |
2
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5
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辉光放电电子束掺杂硼浅结 |
李秀琼
王纯
马祥彬
杨军
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1992 |
2
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6
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CoSi_2中As^+和BF_2^+注入杂质再分布形成硅化物化浅结性能研究 |
徐立
张国炳
陈文茹
武国英
王阳元
龚里
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1992 |
1
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7
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离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究 |
张通和
李国辉
阎凤章
罗晏
吴瑜光
王文勋
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《北京师范大学学报(自然科学版)》
CAS
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1987 |
1
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8
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超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型 |
韩名君
柯导明
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
3
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9
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100nm超浅结制作工艺研究 |
王学毅
徐岚
唐绍根
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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10
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衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响 |
卢志恒
李素杰
张朝明
罗晏
张荟星
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
1
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11
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纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展 |
何进
张兴
黄如
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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12
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离子注入浅结制备技术 |
曾庆高
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
1
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13
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激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述 |
王光伟
宋延民
张建民
郑宏兴
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《天津工程师范学院学报》
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2006 |
1
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14
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多晶硅膜离子注入和扩散掺杂制备浅结的研究 |
徐静平
余岳辉
彭昭廉
陈涛
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《微电子学》
CAS
CSCD
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1993 |
0 |
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15
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F^++B^+双注入浅结研究 |
李金华
林成鲁
冒建军
何建军
邹世昌
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1994 |
0 |
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16
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VLSI/ULSI中的浅结制造技术 |
张沈军
李婉莹
胡敏
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《微处理机》
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1992 |
0 |
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17
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浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用 |
余山
章定康
黄敞
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1993 |
0 |
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18
|
100nm P型超浅结制作工艺研究 |
鲜文佳
刘玉奎
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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19
|
浅结激光退火的实验研究及工艺模型 |
李岱
严利人
张伟
周卫
刘志弘
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
|
2012 |
0 |
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20
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电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结 |
武慧珍
茹国平
张永刚
金成国
水野文二
蒋玉龙
屈新萍
李炳宗
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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