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烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及性能的影响(2)
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作者 康雪雅 庄顺昌 《石河子大学学报（自然科学版）》 CAS 1992年第3期84-88,共5页
利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系... 利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大. 展开更多
关键词 浇结温度 低压ZnO 显微结构 电性能
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