测射联作中水击负压分析

本文对测射联作中提前射孔的问题进行了分析和探讨,认为提前射孔的原因是开井瞬时由于压力的瞬时改变而引起的水击负压。

超正压射孔测试联作工艺在岔25-44X井的应用

超正压射孔技术是在射孔的同时向地层施加一个高于其破裂压力的压力,使地层产生裂缝;点火后以大排量向地层注入保护液使裂缝继续延伸,最终达到提高射孔完井效果的目的。该射孔技术由奥里克斯能源公司开发研究,2009年华北油田引进并在此基础上优化工艺,采用APR+超正压测射联作工艺,通过两口井的应用,测试工艺成功,增产效果明显,堵塞比、表皮系数降低形成了一套新的射孔测试试油工艺。

低成本片上射频内建自测系统的关键参数测量

针对芯片射频测试成本不断提高的问题,提出了一种低成本片上系统射频内建自测电路结构及其关键参数测量处理方法.此射频内建自测结构着重利用片上已有数字信号处理器、坐标旋转数字计算机和模数转换器对射频测试信号进行数字傅里叶变换,并利用低成本结构进行对数计算得到相应的信噪比.另外,该自测结构利用环回结构设计,将射频部分产生的信号用来作为测试信号而避免了外部噪声的干扰.这种射频内建自测方法已经成为一种有效的、低成本的设计方法,并用于新产品的量产.相对于以往的射频测试方法,该方法有效地减小了额外的硬件开销,在保证测试质量的情况下,降低了射频电路的测试成本.

基于射频收发测温系统的SiAlCN温度传感器S11参数测试

在温度测量领域,传统的膨胀式测温、电量式测温以及接触式光电测温等测温方法在某些特殊环境下其可行性和准确性受到很大程度的限制。为实现对超高温环境温度的测量,采用微波测量法以SiAlCN无线无源温度传感器为被测对象设计了一套射频收发测温系统。本文介绍了利用R&S公司的ZNB40矢量网络分析仪,对SiAlCN温度传感器在不同温度条件下的S_(11)参数进行测量,获取传感器谐振频率与实时温度的对应关系,为射频收发测温系统扫频信号频率范围的设计提供参数性指导。

双离子束溅射法制备SiO_xN_y薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm(紫光)、470 nm(蓝光)的光致发光。根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理:470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。

反应磁控溅射沉积ITO膜的X射线衍射结构分析

本文报道了对反应磁控溅射技术沉积的ＩＴＯ透明导电膜进行Ｘ射线衍射结构分析的结果。

地层测试技术在低渗透性地层中的应用

随着地层测试技术的发展,测射联作施工工艺在低渗透性地层测试中逐步得到应用。运用测射联作施工工艺,配合合理的工作制度设计,在内蒙古鄂尔多斯盆地的低渗透性地层中进行了20多井(层)次的地层测试施工,获得了被测地层的压力、温度、渗透率、表皮系数等测试资料;同时,结合测录井地质资料对地层及油藏做出更进一步的认识和评价,为下步开发提供更加准确的依据。

AMI患者血浆Nt-proBNP水平、心导管法所测LVEF及超声心动法测LVEF三者的相关性分析

目的探讨脑钠素N端前体肽(Nt-proBNP1-76)在急性心肌梗死(AMI)患者血浆中的水平、导管法(CVG)及超声心动图法(Echo)所测左室射血分数(LVEF)的相关性,从而探讨Nt-proBNP的临床应用价值及可靠性。方法采用免疫荧光双夹心法测50例急性心肌梗死患者血浆Nt-proBNP水平,床边行超声心动图检查,采用单平面Simpson法计算左室射血分数值,并于急诊冠脉造影时用心导管法测左心室射血分数。结果1)急性心肌梗死患者血浆Nt-proBNP水平与心导管法所测左室射血分数呈明显负相关,P<0.01;2)急性心肌梗死患者血浆Nt-proBNP水平与床边超声心动法所测左心室射血分数呈负相关,P<0.01;3)床边超声心动法与导管法所测左心室射血分数呈正相关,P<0.001;4)床边超声心动图法及导管法两种方法所测LVEF的一致性范围+31.8%～-7.0%。结论急性心肌梗死患者血浆Nt-proBNP水平与导管法所测左室射血分数呈负相关,提示Nt-proBNP能够反映心肌梗死后及无临床症状性心功能不全程度的一个新指标,Nt-proBNP可能成为诊断左心室收缩功能障碍早期而可靠的指标,对于临床治疗及判断预后具有指导意义。超声心动法与导管法所测左心室射血分数相关性较好,但一致性范围较宽,两者有差异,临床上应谨慎对待,尽量减少差异的发生。

适用于256MDRAM的溅射设备──PRIMUS─2500

随着ＶＬＳＩ设计尺寸的细微化，关于布线层的形成，有许多难题迫切需要解决。本文就该公司在用于２５６ＭＤＲＡＭ的溅射设备ＰＲＩＭＵＳ──２５００上解决这些问题的情况加以叙述。

浅谈数码摄影中的测光方法和测光的要诀

要数码相机中测光原理是容易理解的,关键是数码相机的测光系统(或测光表)是以何为测量基准的比较难把握。通俗地讲,就是数码相机在测量一个场景的光线时,它怎样"想"自己看到的东西。本文介绍了数码摄影中的测光方法,探索出一些测光的要诀,旨在提高摄影爱好者的摄影水平。

掺Mn的Pt/Co多层膜磁性和磁光特性的研究

用磁控溅射设备制备了 Pt Mn/ Co多层薄膜 ,介绍了制作该多层膜的方法 ,并通过测定不同杂质浓度、不同光子能量下克尔角的变化 ,发现随 Mn含量的增加 ,其克尔角下降 ,说明其磁光特性 ;测定不同掺杂浓度下样品的磁滞回线 ,发现其饱和磁化强度增加 ,剩磁比、矫顽力下降 ,分析其产生的机制 .

非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究

采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。

Si衬底(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的制备与性能研究

性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。

SmFe纳米颗粒磁性能研究

磁性纳米颗粒由于晶粒尺寸处于纳米级 ,可以做到完全单畴 ,很多研究表明这种结构下其磁性能与同样相成分的块体材料相比 ,具有明显的不同。本文采用磁控溅射方法得到非晶SmFe薄膜 ,通过时效处理后 ,得到均匀分布在铜基体上的磁性纳米颗粒。研究表明 。

超导Josephson结的制备及其特性研究

本文详细讨论了用微细加工技术制作Josephson结的过程以及影响其电学特性的各种因素,用湿法刻蚀技术制备了面积为4×4μm^2的Josephson结,并在4.4K闭循环制冷机上观察到了较为理想的Josephson效应。

浅谈浅井试油工艺

本文通过分析试油工艺在花土沟油田的应用情况,指出适用于浅井的一套完整试油工艺。这套试油工艺具有保护储集层、缩短试油周期、降低油井成本等优势,并在文中述及新技术在浅井中的应用具有很重要的实践价值和意义。

射频反应性溅射沉积的Cd_2SnO_4薄膜物理性质与缺陷特性研究

在Ar+O_7混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10^(-6)Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95％。对于氧浓度为6％、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.64eV。

彼得·苏奇茨基:我想让这部数码电影有胶片感

与很多电影摄影师一样,彼得·苏奇茨基进入这个行当纯属子承父业。他出生于伦敦,父亲沃尔夫冈·苏奇茨基是有名的电影摄影师,曾经为迈克尔·凯恩主演的黑帮片《找到卡特》和约瑟夫·斯特里克执导的电影版《尤利西斯》掌镜。彼得·苏奇茨基从1960年代就进入电影圈,他曾与雅克·德米、肯·罗素、彼得·华特金斯等名导合作,代表作中更是包括人尽皆知的票房大作如《洛基恐怖秀》和《星球大战2:帝国反击战》。但他最为人熟知的,是他与大卫·柯南伯格的长期合作,他拍摄了后者在1988年之后的所有作品,其中包括《裸体午餐》《欲望号快车》,《东方承诺》和《大都会》。此次拍摄M·奈特·沙马兰的《重返地球》,是他继《大都会》之后第二次用数字摄影机拍摄剧情长片。"我想让电影有胶片感,我不想让人们看出它是用数码拍摄的,也不想让影像有虚假的感觉。我要的是一种‘有机’的外观。"