标准互连线性能参数的测试结构设计与实现

标准互连线性能参数SIPPs是衡量ULSI后段制程效能的标准方法。结合纳米工艺后段制程的特点,根据各参数对不同测试结构敏感度的差异,设计了平行板电容、层跃平行板电容、叉指型电容、叉指型通孔链电阻等提取各参数的无源测试结构。结合版图层信息文件和测试结构输入文件,采用高阶Perl语言将其自动实现为CIF格式版图文件;经Cadence版图软件转换成晶圆厂广泛采用的GDSII格式文件并通过电学连接检查,极大地提高了测试结构设计和实现的效率。

机械产品BIT系统的结构设计研究

研究了机械产品 BIT 结构设计的方法。借鉴电子产品 BIT 与机械设备状态监测与故障诊断系统结构设计技术,以典型传动系统为对象,在故障分析、模块划分、确定方案的基础上,分别对信息获取、信号处理、诊断决策3方面的结构设计中应考虑的问题和设计内容进行了分析,给出了机械产品 BIT 系统的一般结构。

面向可制造性设计的铜互连有源测试结构的设计与实现

随着超大规模集成电路制造技术的不断进步,互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电荷测量技术的互连寄生电容测试结构。利用这种结构可研究互连线和相关介质的几何尺寸变化,并可反馈应用到器件的可制造性设计和工艺模型的建立中去。

纳米CMOS工艺下互连测试结构的设计与实现

集成电路制造技术进入纳米时代后,互连线制造过程中出现的半导体材料和工艺物理特性变异已不是仅靠晶圆厂或掩模厂采用的分辨率增强技术所能矫正。结合目前后段制程的工艺特点,设计了平行板电容、层跃平行板电容、叉指型电容、叉指型通孔链电阻等提取标准互连线性能参数的无源测试结构套件,并采用高阶Perl语言将其自动实现,极大地提高了测试结构设计和实现的效率。在此基础上,为建立可制造性设计的物理设计规则和进一步研发纳米工艺中互连线特有的各种新物理现象奠定了基础。

测试结深的另一种方法

传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控。