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一种使用浮动电源线嵌入式超低功耗SRAM的设计
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作者 李天阳 石乔林 +1 位作者 田海燕 薛忠杰 《江南大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第6期688-692,共5页
为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM... 为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM)6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小. 展开更多
关键词 6-T单元 亚阈值电流 静态随机存储器 静态功耗 浮动电源线
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一种可用于浮动电源的高精度欠压锁定电路 被引量:4
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作者 刘德尚 苟超 +3 位作者 周泽坤 明鑫 王卓 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期317-320,共4页
提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表... 提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表明,该电路可用于浮动电源,所测得的欠压锁定阈值与设计值相吻合。 展开更多
关键词 欠压锁定 迟滞 浮动电源 高精度 CDMOS工艺
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利用单片机浮动电源以控制高频电刀的功率
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作者 孙汉 张继春 《长沙理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期-,共4页
高频电刀是现代医院中使用非常普遍的医疗器械之一 ,本研究采用浮动电源使各级间的匹配很容易 ,保证了单片机控制高频电刀输出功率的线性度 ,达到到操作方便。
关键词 单片机 高频电刀 功率 浮动电源
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电荷泵高端浮动自举式H桥功率驱动电路 被引量:9
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作者 方健 李肇基 +1 位作者 张正 杨忠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期162-165,共4页
提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路能提供稳定的高端浮动电源。同时 ,对 H桥功率驱动电路中高端... 提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路能提供稳定的高端浮动电源。同时 ,对 H桥功率驱动电路中高端浮动自举电路的设计方法也进行了探讨。 展开更多
关键词 智能功率集成电路 H桥驱动器 浮动电源 电荷泵
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微小孔加工低频振动电源的研制
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作者 王康 姜兴刚 张德远 《机电工程技术》 2007年第2期76-78,共3页
微小孔低频振动加工要求一种频率精确、稳定且幅值可调的激励电源。本文采用可编程逻辑阵列和DDS直接数字合成的方式实现质量可靠的正弦信号。功率放大部分使用推挽式多级放大方式,并对中间级放大电路采用浮动电源供电,使得输出功率信... 微小孔低频振动加工要求一种频率精确、稳定且幅值可调的激励电源。本文采用可编程逻辑阵列和DDS直接数字合成的方式实现质量可靠的正弦信号。功率放大部分使用推挽式多级放大方式,并对中间级放大电路采用浮动电源供电,使得输出功率信号的幅值调节范围进一步扩大,能很好的满足不同振幅要求下低频微小孔振动加工。 展开更多
关键词 孔加工 直接数字合成 可编程逻辑阵列 低频振动 浮动电源
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一种具有死区控制功能的自举电荷泵设计
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作者 何希然 蒋越飞 +2 位作者 李泽宏 高博 龚敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1187-1195,共9页
智能功率集成电路(SPICs)已成为工业自动化、汽车电子、电机系统等领域的关键产品。智能高侧功率开关作为智能功率集成电路的代表性产品,具有复用性高、可靠性强和可集成化等优点,其通常集成电荷泵实现功率管的栅极电压抬升以减小导通... 智能功率集成电路(SPICs)已成为工业自动化、汽车电子、电机系统等领域的关键产品。智能高侧功率开关作为智能功率集成电路的代表性产品,具有复用性高、可靠性强和可集成化等优点,其通常集成电荷泵实现功率管的栅极电压抬升以减小导通损耗。针对传统自举电荷泵使用电阻对自举管的栅电容充电而导致额外功率损耗的问题,设计了一种具有死区控制功能的自举电荷泵。将传统自举电荷泵中的电阻更换为P-LDMOS,并结合低功耗的高侧浮动电源轨电路和死区控制电路进行合理的死区控制,从而在实现电压自举泵升和高侧驱动功能的同时,显著降低了自举电荷泵在工作过程中使用电阻造成的额外功率损耗。基于0.18μm BCD工艺,使用Virtuoso进行电路的设计与仿真,仿真结果表明,该电路可使外置高侧功率管实现自举上电并具备100%占空比的高侧栅极驱动,P-LDMOS的平均功耗为1.8 mW,在相同的工作条件下,其相较于传统的电阻结构降低了约90%。 展开更多
关键词 智能功率集成电路 自举电荷泵 高侧驱动 浮动电源 死区控制
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