分数阶记忆元件通用等效电路的设计

根据分数阶记忆元件之间的转换关系,设计了一种分数阶记忆元件通用等效电路。该等效电路在不改变电路拓扑结构的情况下,通过选择五个阻抗元件的类型,可以将任意一种接地型分数阶记忆元件转换为任意一种浮地型分数阶记忆元件。在仿真实验中,根据提出的通用等效电路,分别实现了三种分数阶记忆元件。对三种分数阶记忆元件的特性进行了分析,验证了该等效电路的正确性。

基于MOS管的忆阻器电路仿真器设计

运用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)技术,设计了2款浮地型忆阻器电路仿真器,并研究电路仿真器在不同激励条件下的特性。理论推导表明,设计的电路仿真器的端口电压电流关系符合忆阻器与状态变量相关的欧姆定律方程。仿真结果表明,设计的忆阻器电路仿真器具有特有的捏滞回环特性,验证了其正确性和可行性。