0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究

针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性,在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45 krad(Si)和功能失效总剂量阈值为92 krad(Si)的试验结果。

脉冲神经网络中的神经形态器件

随着摩尔定律延续放慢,数据强度任务使得基于冯诺依曼结构的传统计算架构面临挑战,需要激发能够模仿大脑的材料、器件以及系统开发,如神经形态计算。对于直接受大脑启发的脉冲神经网络SNN,实现高密度、高能效的脉冲信息处理,需要高扩展性、低功耗的神经形态器件。文章在生物神经元结构、非监督学习规则以及脉冲神经网络分析基础上,探讨SNN中的突触器件、神经元电路以及与环境接口电路。研究表明:CMOS浮栅存储器件、忆阻器件可作为潜力神经形态器件,充分利用器件的物理特性有助于构建高密度、高能效的神经形态电路。