双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计

建立了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘＥＥＰＥＯＭ存储管的阈值电压模型，利用该模型研究了擦／写阈值与擦／写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系，采用１．４μｍＣＭＯＳ工艺设计了双层多晶硅ｆｌｏｔｏｘ单元。模拟结果和实验结果基本一致，该阈值电压模型为ＥＥＰＥＯＭ单元的优化设计提供了一种快速、简便、实用的准则。