基于浮栅MOS管的研究

随着集成电路技术的迅猛发展,传统集成电路开始显现出诸多缺陷以及迫切需要解决的问题,而浮栅MOS晶体管(Floating-gateMOS),作为具有单个器件较强功能性、多个输入且阈值可以灵活控制的新型电子器件为解决这些问题提供了一种有效途径。

EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究

重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。

基于VDMOS结构的浮栅MOS存储机理的核辐射探测器

本文介绍基于VDMOS结构的浮栅MOS管存储机理核辐射探测器的基本概念,简要介绍了浮栅MOS管的结构设计、制作和测试。

浮栅技术及其应用

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况。并对 2种应用了浮栅技术的典型器件—浮栅 MOS晶体管和神经MO S晶体管做了详细介绍 ,分析了他们的基本结构和工作原理 ,以及建立浮栅 MOS晶体管的等效模型 ,并说明了他们的应用情况及存在的不足。

新型钟控神经元MOS采样/保持电路

为实现连续时间信号到离散时间信号的转换,提出一种采用钟控神经元MOS管设计的新型电压型采样保持电路.在设计新方案中,通过引入nMOS阈值补偿单元,克服单管神经元MOS跟随器存在阈值损失这一缺点,提高采样保持电路的精度.采用具有高功能度的钟控神经元MOS管实现采样保持和跟随输出,使所设计的电路具有简单的结构和较低的功耗.对钟控神经元MOS管的SPICE宏模型进行改进,改进后的模型可用于对具有可变浮栅预置电压的电路进行分析.采用TSMC 0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数对设计电路进行HSPICE模拟,并对新设计方案与现有采用神经元MOS管设计的采样保持电路进行比较.模拟结果表明,所提出设计方案明显提高了采样精度,并具有较低功耗.

基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术

提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法.对每个神经元MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示.在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元MOS电路和全加器等电路.采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例.设计结果同时表明,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点,通过引入求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程.采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性.

基于FGMOS的电压求和电流传送器及其应用设计

提出了一种基于FGMOS晶体管的电压求和电流传送器的设计。通过对FGMOS晶体管的等效电路分析,得到其框图和等效电路,并设计了其电路结构。为了表明所提电压求和电流传送器的实用性,将提出的电压求和电流传送器用于实现受控振荡器和电压求和放大器;通过SPICE仿真结果表明,基于FGMOS的电压求和电流传送器不仅具有较高的线性特性,而且其电压传递增益和电流传递增益分别可达0.99和0.98,此外还有着很好的频率响应性能、±0.5 V的低电源电压、79.8μW的低功耗和14 kΩ~2.1 MΩ的线性电子可调谐电阻。基于电压求和电流传送器设计的受控振荡器具有稳定的正弦输出,而且振荡频率可以通过偏置电流来控制,设计的电压求和放大器具有高输入电阻和可控的增益。