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挥别尔必达茂德与海力士技术合作
1
作者
林治国
《电子与电脑》
2004年第1期109-111,共3页
茂德12月中正式宣布与尔必达(Elpida)暂停技术合作协商,转而与海力士(Hvnix)签订技术合作备忘录(MOU),未来合作方向将朝长期技术授权、部分产能保留共享和内存技术结盟三方面进行。至于何时正式进展到合约阶段,发言人林育中表示,...
茂德12月中正式宣布与尔必达(Elpida)暂停技术合作协商,转而与海力士(Hvnix)签订技术合作备忘录(MOU),未来合作方向将朝长期技术授权、部分产能保留共享和内存技术结盟三方面进行。至于何时正式进展到合约阶段,发言人林育中表示,详细内容仍须进一步协议,还未有正式时间表出炉。此外,在第二座12寸厂的兴建上,茂德倾向独资或以策略联盟(Join Venture;JV)方式,不会与海力士合资。
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关键词
茂德
公司
尔必达
公司
海力士公司
技术合作
利益冲突
市场定位
DRAM供货商
下载PDF
职称材料
恒忆与海力士扩大合作,共同推广创新的NAND闪存技术与产品
2
《电子与电脑》
2008年第9期99-99,共1页
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期5年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来5年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品。进行技术创新。
关键词
恒忆
海力士
半导体
公司
NAND闪存
研发技术
下载PDF
职称材料
Hynix具备0.10μm工艺量产技术
3
《电子工业专用设备》
2003年第3期38-38,共1页
关键词
海力士
半导体
公司
0.10μm工艺
量产技术
DDR
存储器
下载PDF
职称材料
Hynix具备0.10微米工艺量产技术
4
《集成电路应用》
2003年第7期15-15,共1页
关键词
海力士
半导体
公司
0.10微米工艺
量产技术
DDR400
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职称材料
题名
挥别尔必达茂德与海力士技术合作
1
作者
林治国
出处
《电子与电脑》
2004年第1期109-111,共3页
文摘
茂德12月中正式宣布与尔必达(Elpida)暂停技术合作协商,转而与海力士(Hvnix)签订技术合作备忘录(MOU),未来合作方向将朝长期技术授权、部分产能保留共享和内存技术结盟三方面进行。至于何时正式进展到合约阶段,发言人林育中表示,详细内容仍须进一步协议,还未有正式时间表出炉。此外,在第二座12寸厂的兴建上,茂德倾向独资或以策略联盟(Join Venture;JV)方式,不会与海力士合资。
关键词
茂德
公司
尔必达
公司
海力士公司
技术合作
利益冲突
市场定位
DRAM供货商
分类号
F407.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
恒忆与海力士扩大合作,共同推广创新的NAND闪存技术与产品
2
出处
《电子与电脑》
2008年第9期99-99,共1页
文摘
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期5年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来5年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品。进行技术创新。
关键词
恒忆
海力士
半导体
公司
NAND闪存
研发技术
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
Hynix具备0.10μm工艺量产技术
3
出处
《电子工业专用设备》
2003年第3期38-38,共1页
关键词
海力士
半导体
公司
0.10μm工艺
量产技术
DDR
存储器
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Hynix具备0.10微米工艺量产技术
4
出处
《集成电路应用》
2003年第7期15-15,共1页
关键词
海力士
半导体
公司
0.10微米工艺
量产技术
DDR400
分类号
F407.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
挥别尔必达茂德与海力士技术合作
林治国
《电子与电脑》
2004
0
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职称材料
2
恒忆与海力士扩大合作,共同推广创新的NAND闪存技术与产品
《电子与电脑》
2008
0
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职称材料
3
Hynix具备0.10μm工艺量产技术
《电子工业专用设备》
2003
0
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职称材料
4
Hynix具备0.10微米工艺量产技术
《集成电路应用》
2003
0
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职称材料
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