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挥别尔必达茂德与海力士技术合作
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作者 林治国 《电子与电脑》 2004年第1期109-111,共3页
茂德12月中正式宣布与尔必达(Elpida)暂停技术合作协商,转而与海力士(Hvnix)签订技术合作备忘录(MOU),未来合作方向将朝长期技术授权、部分产能保留共享和内存技术结盟三方面进行。至于何时正式进展到合约阶段,发言人林育中表示,... 茂德12月中正式宣布与尔必达(Elpida)暂停技术合作协商,转而与海力士(Hvnix)签订技术合作备忘录(MOU),未来合作方向将朝长期技术授权、部分产能保留共享和内存技术结盟三方面进行。至于何时正式进展到合约阶段,发言人林育中表示,详细内容仍须进一步协议,还未有正式时间表出炉。此外,在第二座12寸厂的兴建上,茂德倾向独资或以策略联盟(Join Venture;JV)方式,不会与海力士合资。 展开更多
关键词 茂德公司 尔必达公司 海力士公司 技术合作 利益冲突 市场定位 DRAM供货商
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恒忆与海力士扩大合作,共同推广创新的NAND闪存技术与产品
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《电子与电脑》 2008年第9期99-99,共1页
恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期5年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来5年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品。进行技术创新。
关键词 恒忆 海力士半导体公司 NAND闪存 研发技术
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Hynix具备0.10μm工艺量产技术
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《电子工业专用设备》 2003年第3期38-38,共1页
关键词 海力士半导体公司 0.10μm工艺 量产技术 DDR 存储器
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Hynix具备0.10微米工艺量产技术
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《集成电路应用》 2003年第7期15-15,共1页
关键词 海力士半导体公司 0.10微米工艺 量产技术 DDR400
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