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193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术
被引量:
1
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作者
翁寿松
《电子工业专用设备》
2007年第4期17-18,共2页
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
关键词
32
nm工艺
22
nm工艺
193
NM
ArF
浸没式光刻技术
EUV
光刻
技术
下载PDF
职称材料
下一代光刻技术
被引量:
4
2
作者
佟军民
胡松
余国彬
《电子工业专用设备》
2005年第11期27-33,共7页
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词
下一代
光刻
技术
浸没式光刻技术
极端远紫外
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
无掩模
光刻
技术
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职称材料
ASML的创新之路
3
作者
王正华
《中国集成电路》
2006年第6期58-62,共5页
关键词
浸没式光刻技术
纳米
准分子激光
SM
光源
专用设备
辐射源
专业设备
生产设备
数值孔径
光学镜头
ASML
晶圆片
设备供应商
下载PDF
职称材料
题名
193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术
被引量:
1
1
作者
翁寿松
机构
无锡市罗特电子有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2007年第4期17-18,共2页
文摘
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
关键词
32
nm工艺
22
nm工艺
193
NM
ArF
浸没式光刻技术
EUV
光刻
技术
Keywords
32 nm technology
22 nm technology
193 nm ArF immersion lithography technicque
EUV lithography technicque
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
下一代光刻技术
被引量:
4
2
作者
佟军民
胡松
余国彬
机构
中国科学院光电技术研究所
出处
《电子工业专用设备》
2005年第11期27-33,共7页
文摘
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。
关键词
下一代
光刻
技术
浸没式光刻技术
极端远紫外
光刻
技术
纳米压印
光刻
技术
无掩模
光刻
技术
Keywords
The Next Generation Lithography
Immersion Lithography: Extreme Ultraviolet Lithography
Nanoimprint Lithography
Maskless Lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
ASML的创新之路
3
作者
王正华
出处
《中国集成电路》
2006年第6期58-62,共5页
关键词
浸没式光刻技术
纳米
准分子激光
SM
光源
专用设备
辐射源
专业设备
生产设备
数值孔径
光学镜头
ASML
晶圆片
设备供应商
分类号
F456.3 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术
翁寿松
《电子工业专用设备》
2007
1
下载PDF
职称材料
2
下一代光刻技术
佟军民
胡松
余国彬
《电子工业专用设备》
2005
4
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职称材料
3
ASML的创新之路
王正华
《中国集成电路》
2006
0
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职称材料
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