溶液浸润模板法制备图案化ABS纳米管阵列

采用紫外光刻技术首先制备了图案化的阳极氧化铝(AAO)模板,以此作为"二次模板",以不同浓度的ABS溶液浸润模板,成功地制备了不同结构的ABS纳米管阵列。用扫描电镜(SEM)对其微观形貌进行表征,结果显示,所获得的ABS纳米管阵列排列规整,高度有序,与掩膜的图案完全一致。并且讨论了溶液浓度对纳米管壁厚的影响。

浸润AAO模板法制备EVA纳米管阵列

采用聚合物溶液或熔体浸润多孔阳极氧化铝(AAO)模板的方法,在孔径为200 nm的AAO模板中成功制备了EVA纳米管阵列,用扫描电子显微镜对其微观形貌进行表征。结果表明溶液法制得纳米管管壁厚度随浓度而变化,质量分数5.0%和7.0%的EVA溶液制备的纳米管壁厚约为40 nm和60 nm。熔体法制得纳米管的长度受温度影响而不同。对模板法制备纳米管的形成机理进行了探讨。

模板浸润法制备非极性聚合物纳米管和纳米线

以孔径为200 nm的多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用聚合物溶液或熔体浸润模板的物理方法,以非极性通用聚合物为原料,首次制备了非极性聚合物纳米管、纳米线及其阵列结构。对纳米管和纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明对非极性聚合物而言,温度是影响一维纳米结构的主要因素,在较低温度下只能制得纳米线;较高温度下才能得到纳米管。还指出AAO膜纳米孔的高表面效应与熔体的作用能是形成聚合物一维纳米结构的主要驱动力。

模板浸润法制备ABS纳米管阵列结构

采用简单的、聚合物溶液或熔体浸润多孔阳极氧化铝(AAO)模板的方法,制备了不同结构的ABS纳米管及其阵列。对于溶液法,溶液的浓度会影响纳米管完整性:2.5%溶液制得的ABS纳米管管壁具有微孔缺陷;而5.0%溶液可以制得完整的纳米管。对于熔融法,熔体的温度影响了纳米管的结构:240℃和270℃都可以制得ABS纳米管,但其管壁和管长都不同。ABS纳米管的分解温度比本体ABS低100℃左右。

模板浸润法制备可生物降解聚合物纳米管和纳米线

以孔径为200 nm的阳极氧化铝(AAO)为模板,用简单的物理方法制备了生物可降解聚合物聚己内酯(PCL)的蚋米管、线及其阵列结构。SEM和TEM测试结果表明:熔融法在120℃和140℃都能制得整齐的纳米管阵列结构,管径均匀,约300nm。在溶液法中,5%浓度的溶液制得了杂乱的纳米管,而10%浓度的溶液制得的是纳米线阵列,直径在200nm左右。

聚酰亚胺纳米线阵列的制备及浸润机理研究

采用聚合物溶液浸润模板的物理方法,以聚酰胺酸溶液为前驱体,氧化铝膜为模板,制备了聚酰亚胺纳米线阵列,并用扫描电镜对纳米线阵列形貌进行表征.通过测量纳米线阵列的高度来表征聚合物溶液在纳米管中的流动距离,结果表明聚合物溶液在纳米尺度上的流动行为符合Lucas-Washburn方程.并探讨了聚合物溶液浓度对浸润机理及纳米结构形成的影响,有助于更好地控制模板中形成的纳米阵列结构.

模板浸润法制备聚苯乙烯纳米管阵列

采用一种简单的物理技术—聚合物溶液或熔体浸润多孔阳极氧化铝(AAO)模板的方法,在孔径仅为200nm的AAO模板中制备聚苯乙烯(PS)纳米管阵列。SEM和TEM测试结果表明:熔体法制备的纳米管壁厚约为110nm;5.0wt%和10.0wt%的PS溶液制备的纳米管壁厚分别为70nm和80nm。并初步探索了模板法制备聚合物纳米管的多次浸润机理。

不同制备条件对聚偏氟乙烯纳米线生长的影响

为提高铁电聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)的压电性能,利用纳米限域效应,采用模板直接浸润法,将多孔氧化铝(AAO)模板在不同浓度的PVDF的DMF溶液中自然浸润,并添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面修饰剂,制备了一维材料PVDF纳米线。分别研究了浸润温度、溶液浓度及表面修饰剂等因素对PVDF纳米线生长过程的影响。通过FTIR、SEM、XRD等对样品的形貌结构及性能进行了表征,进一步讨论了AAO模板中PVDF纳米线的生长机制。结果表明:模板法生长的PVDF纳米线形貌主要受溶液浓度的影响,并且当浓度为0.10 g/m L时形貌较优,其平均长度为50μm,平均直径为180 nm,与AAO模板孔径尺寸相当;表面修饰剂PVP可在一定程度上防止纳米线团聚并且优化其尺寸均一性;AAO模板中生长的PVDF纳米线由于纳米限域效应优先向β晶相结晶,并且在生长过程中PVDF并未参与任何化学反应。