浸渍次序对双元改性HZSM-5上正戊烷芳构化反应的影响

本文研究了不同浸渍次序对Ｚｎ－Ｍ双元改性ＨＺＳＭ－５催化剂芳构化性能的影响。结果表明，对于Ｚｎ－Ｍ双元改性ＨＺＳＭ－５催化剂来讲，先引入Ｚｎ组分，然后再引入Ｃｕ、Ａｌ等其它组分改性效果最佳，而同时引入两种改性组分的效果最差。这种差异是由于改变浸渍次序而引起的表面活性中心的不同造成的。

浸渍次序对钴基催化剂F-T合成催化性能的影响

采用浸渍法制备钴基催化剂,考察了催化剂组分浸渍次序对其F-T合成反应性能和产物分布的影响。载体γ-A l2O3先浸渍Zr组分,可阻止活性组分与载体间形成难还原的铝酸钴化合物。同时,ZrO2可与催化剂表面的金属Co形成活性界面,在一定程度上使CO容易离解,从而使催化剂呈现出较高的活性和重质烃选择性。在原料气n(H2)∶n(CO)=2.0、温度493 K、压力1.5 MPa、空速800 h-1下,载体先浸渍Zr,然后浸渍Co和Ru的混合水溶液,CO的转化率和C5+的选择性为82.54%和85.63%,链增长概率为0.86,3种组分分次浸渍,CO的转化率、重质烃C5+的选择性和链增长概率分别为81.03%、84.69%和0.83。三种组分混合浸渍,Co可能在催化剂浸渍、干燥、焙烧过程中与载体相互作用形成一定量的难还原化合物,使催化剂的催化性能下降。

浸渍次序对低温脱除Hg^0和CO性能的影响

采用单次浸渍、两次浸渍、多次浸渍制备了系列Cu-Co/AC_N催化剂,并考察其同时脱除Hg^0和CO的催化活性。结果表明,催化剂脱Hg^0效率和脱CO效率依次为:两次浸渍>多次浸渍>单次浸渍。综合考量两种污染物的脱除效率,将200℃作为Cu-Co/AC_N催化剂同时脱Hg^0,脱CO的最佳反应温度。氧气对于两种污染物的脱除是至关重要的,16%的氧含量为同时脱Hg^0和脱CO的最佳条件。

助剂对Co/Al_2O_3催化剂浆态床费托合成反应性能影响

考察了ZrO2、Ru或Pt助剂对Co/Al2O3催化剂结构及浆态床费托合成反应性能的影响。实验结果表明,添加ZrO2助剂可阻止或降低难还原铝酸钴的形成、促进催化剂的还原、提高Co/Al2O3催化剂对费托合成反应的催化活性、降低甲烷选择性并提高C5+烃选择性。H2-TPR表征结果表明,少量Ru或Pt助剂均能降低Co-ZrO2/Al2O3催化剂中钴物种还原温度(Co3O4→CoO和CoO→Co0),提高催化剂的还原度,催化剂呈现出良好的CO加氢反应活性。此外,催化剂组分间浸渍次序对费托合成反应性能有重要影响,载体γ-Al2O3先浸渍Zr组分,可有效抑制难还原化合物形成;Co、Ru组分共浸渍加强了Co和Ru组分密切接触程度,更利于钴物种的还原;Co、Pt组分依次浸渍更利于活性组分的均匀分布,催化剂具有最佳的费托合成反应性能。