浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料

冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δｍａｘ＝４．３；相对应的电子能量Ｅ＿ｏ＝４００ｅＶ；第一交叉点的能量约５０ｅＶ。

浸渍钡钨阴极表面同步辐射光电子谱研究

为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态,采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明,与激活前相比,经1150℃×90min高温激活后,阴极表面吸附层厚度减薄,吸附C完全消失,O含量明显升高,W含量增加1倍,Ba含量增加2倍。另外,阴极表面的O1s、W4f和Ba3d等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为,激活后的阴极表面分布的吸附氧,使W基体以及阴极表面的Ba均产生吸附氧化,Ba在阴极表面主要以吸附化合物Bam·On(m≤n)的形式存在。