涂硼中子探测器用B4C薄膜的应力和粘附力研究（英文）

涂硼中子探测器作为3He中子探测器的替代技术,已经成为了当今研究的焦点。对于涂硼中子探测器而言,B4C薄膜的应力需要减小,与铝基底间的粘附力需要增大。为了增大B4C薄膜与铝基底间的粘附力,该实验使用直流磁控溅射技术在不使用基底加热的前提下制备应力较小的B4C薄膜,同时在铝基底和B4C薄膜之间添加Mg-Al合金层。该实验主要研究了沉积过程中溅射气压对B4C薄膜应力的影响,以及Mg-Al合金层及其溅射气压和厚度对B4C薄膜粘附力的影响。实验结束后采用扫描电镜和透射电镜对薄膜的微观结构进行了表征和分析。实验结果表明,当沉积过程中溅射气压增大时,B4C薄膜的应力减小并趋于稳定。超薄多孔的Mg-Al合金层与B4C、Al2O3有着明显的反应,能够在不使用基底加热的前提下有效地增大B4C薄膜与铝基底间的粘附力。

涂硼稻草管中子探测器等效MC模型研究

建立了一种涂硼稻草管中子探测器等效MC模型的方法。使用典型的^(3)He或BF_(3)探测器模型来等效涂硼稻草管中子探测器,通过Am-Li源的探测效率实验,确定等效的^(3)He或BF_(3)探测器模型参数。将此等效模型应用于钚溶液实验,使用等效^(3)He模型计算的探测计数率与实测计数率相差较小,验证涂硼稻草管中子探测器等效MC模型的可行性和准确性。实验表明:本等效MC模型方法可推广应用到其他难以建立有效MC计算模型的探测器。