涂胶显影设备的静电防护设计

文章以静电的危害及产生机理为引申,分析了半导体涂胶显影设备如何在设计细节、制造调试环节去实现静电释放,避免静电的影响。首先,通过静电消除器和STHC的应用阐述了涂胶显影设备的微环境控制静电的设计方案。然后,从涂胶显影设备使用的液体DIW、有机溶剂的传输方案介绍了EFLOW、防静电管的使用背景,并重点说明NTD单元的静电接地方式。最后,针对spin单元零件设计的材料选择及制造工艺做了分析。

涂胶显影工艺对线宽均匀性的影响

随着半导体制造设备的升级、新技术的研发、新材料的引入以及先进制程的控制,“摩尔定律”在集成电路制造领域依旧具有旺盛的生命力。然而,制程工艺的不断提升对半导体制造设备的要求也越来越高。随着CD(Critical Dimension)的不断减小及其均匀性要求的提高,对光刻工艺相关设备的要求也不断提高,着重阐述影响CD均匀性的涂胶显影设备的相关工艺。

提高涂胶显影机产能的方法

随着各种消费类电子产品的快速升级迭代,各大终端芯片制造厂(FAB)都在极致地追求产品产能最大化,会优先考虑在有限空间下布局更多的工艺设备,而光刻机作为芯片制造工序最为重要、价格最贵且技术含量最高的核心设备,一直保持着迭代更新。无论是主动匹配光刻机还是由光刻机产品升级的反向施压,涂胶显影机都必须不断探索提高设备产能的方法。文章从阿斯麦DUV光刻机的研发路线图出发,分析了涂胶显影机的产能理论计算方法,并结合产能计算公式的影响因素,从提高机器人产能、缩短涂胶显影单元模块的工艺时间以及关联的软件调度优化等几方面做了综述分析,重点结合实践应用在机器人提速的影响、涂胶显影主轴电机控制模式选择以及涂胶单元增加风流控制机构等案例及设计思路上探讨设备产能提升的途径。

涂胶显影技术改进对光刻工艺的影响

影响光刻工艺的因素有很多,既有光刻机的因素,又有涂胶显影技术因素,而通过改造光刻机来提高光刻工艺,往往价格非常高昂;所以改进涂胶显影技术就成为了提高光刻工艺的一种低廉而有效的手段。介绍了对涂胶显影技术改进,且分析了其对光刻工艺的影响。

半导体涂胶显影机产能分析

中国半导体行业发展越来越快,半导体设备的产能,即晶圆传送方法的研究在半导体装备研制的过程中的作用愈加关键。涂胶显影设备更需传片方法来指导装备的布局设计,提高装备产能,满足不同的严苛需求。文章根据半导体装备发展的历程,给出一般装备的产能计算公式,同时对未来晶圆传送方法提出了建议。

半导体涂胶显影机产能分析

随着我国科学技术的发展,我国半导体制造行业得到了极大的发展,随着企业的发展,在生产过程中如何使用必要的技术来优化半导体产品的生产研制过程以提升其产能是当前应当进行研究的问题。当前生产的重点是半导体涂胶显影设备,在实际生产中,由于其生产过程较为复杂,因此,更应当使用合适的措施来优化生产步骤,提升产能,满足当前逐渐增加的市场需求。本文对涂胶显影机的产能设计进行了分析,并对未来可能使用的优化方法提出了建议。

基于高黏度聚酰亚胺材料的涂胶显影工艺

聚酰亚胺(PI)材料被应用于微电子领域已有约30年的历史,由于其优异的性能常被应用于芯片表面的钝化层等。文章主要研究了高黏度聚酰亚胺材料在涂胶显影工艺中常见的问题与解决办法。由于聚酰亚胺材料的高黏度特性,在涂胶工艺中的膜厚往往较厚,会出现片内均匀性较差的现象,由于聚酰亚胺材料的特殊性,在涂胶过程中的洗边溶剂的选择会对涂胶显影工艺造成很大影响,最具代表的为显影后边缘残留问题。文章通过多次实验研究,完成了高黏度聚酰亚胺涂胶工艺的优化与显影后边缘残留问题的解决。

热盘排风结构对非感光聚酰亚胺胶膜制备工艺的影响

本文研究了中心和环抱型两种排风结构热盘对一种非感光聚酰亚胺(polyimide,PI)胶膜制备工艺的影响。结果表明:经中心排风热盘烘烤后的聚酰亚胺胶膜中,光阻溶剂N-甲基吡咯烷酮(n-methyl pyrrolidone,NMP)在气流的作用下汇聚至晶片中心,导致中心溶剂含量分布较高是造成后期过显影问题的主要原因;而环抱式排风热盘内部气流更加流畅均匀,溶剂NMP可有效置换,中心溶剂含量分布较高现象消失可显著改善聚酰亚胺光阻涂覆工艺中因溶剂含量分布不均而导致的显影问题。

匀胶显影设备工艺原理、结构及常见故障分析

本文介绍了匀胶显影技术的特点及原理,在分析介绍其设备种类的基础上,概述了匀胶显影设备的基本结构,详细分析了影响匀胶显影工艺的各种因素,总结了匀胶显影设备的常见故障,并提出了各种故障的处理措施。