GL-I方程在超导磁悬浮涡旋电流元模型中的应用

由于现有超导磁悬浮理论为超导体设置边界,严重限制了对其超导态内部特征的认识,一些参数设置与实际应用情况也有相当距离。为了避免其局限性,根据超导磁悬浮特征,将涡旋电流(VC)作为独立的微磁场源与外磁场相互作用,并取自然边界,经过严格推导,建立了超导磁悬浮力表达式,理论计算与实验观测比较效果良好。用GL-I方程求解超导电子密度可进而提高理论计算精度,结合高分辨率超导磁悬浮力和磁场观测,以期能够建立超导透析技术。