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Bi_(2)Se_(3)纳米片的生长及其圆偏振光电流
1
作者
庄航
陈磊
俞金玲
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021年第4期458-463,共6页
采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1064 nm圆偏振激光激发下,Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度...
采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1064 nm圆偏振激光激发下,Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度随着温度的降低先增大后减小,这与动量弛豫时间及电子空穴复合率相关.此外,通过外加离子液体栅压调控Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流,其强度随着外加偏压的增大而减小,这是由于所测得的圆偏振光致电流由拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)表面信号与二维电子气信号叠加形成,且二者方向相反导致.
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关键词
Bi_(2)Se_(3)纳米片
化学气相沉积法
圆偏振光电流效应
液体离子栅压
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职称材料
题名
Bi_(2)Se_(3)纳米片的生长及其圆偏振光电流
1
作者
庄航
陈磊
俞金玲
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021年第4期458-463,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(62074036,61674038)
福建省对外合作资助项目(2019I0005)
福建省高校杰出青年科研计划资助项目。
文摘
采用化学气相沉积法制备三维拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米片,对其进行详细的表征并研究样品的圆偏振光致电流.在1064 nm圆偏振激光激发下,Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流强度随着入射角的增大而逐渐增大.研究发现,圆偏振光电流强度随着温度的降低先增大后减小,这与动量弛豫时间及电子空穴复合率相关.此外,通过外加离子液体栅压调控Bi_(2)Se_(3)纳米片的圆偏振光致电流,其强度随着外加偏压的增大而减小,这是由于所测得的圆偏振光致电流由拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)表面信号与二维电子气信号叠加形成,且二者方向相反导致.
关键词
Bi_(2)Se_(3)纳米片
化学气相沉积法
圆偏振光电流效应
液体离子栅压
Keywords
Bi_(2)Se_(3) nanoplates
chemical vapor deposition
circular photogalvanic effect
ionic liquid gate
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Bi_(2)Se_(3)纳米片的生长及其圆偏振光电流
庄航
陈磊
俞金玲
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2021
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职称材料
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