纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能。

液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO_3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 。

液态源磷扩散最佳工艺条件CAD模拟分析

研究了如何应用ＳＵＰＲＥＭ软件程序，对液态源磷扩散工艺条件及扩散结果进行ＣＡＤ模拟分析。文中重点研究了扩散系数的修正值Ｂｅ，硅片表面汽相磷浓度ｎ＊的计算，并应用计算出的Ｂｅ、ｎ＊值分析模拟了磷扩散后的结果。它表明与实验结果相一致，且重复性好。

液态源掺杂对SnO_2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．

液态源可控蒸发输送系统

在太阳能电池、微电子等半导体工艺制程中,液态源以生产效率高、成膜特性好、气压小不易泄漏等优点,广泛应用于扩散、氧化、化学气相沉积等工艺。如:在太阳能电池PN结制程中,掺杂用的液态磷源、液态硼源,以及在湿氧氧化工艺中使用的蒸馏水;在光电子、微电子行业中,化学气相淀积设备(CVD)使用的HMDSO、TEOS、SiHCl3等。实验数据显示,这些液态源的输送对各种掺杂、氧化、淀积工艺的质量具有很大影响。对液态源输送的技术现状进行阐述,分析了现有技术的特性和缺点,并结合未来工艺对装备要求的趋势,在此基础上提出了一种液态源可控蒸发输送系统。

液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。

分散液态烃裂解气资源评价方法

分散液态烃裂解气资源评价涉及五方面内容,可概括为“五步法”的定量评价方法。步骤一：源内和源外液态烃的分配比例和数量研究。模拟实验及实际地质样品统计相结合的研究结果,烃源岩中滞留烃的数量可观,受有机质丰度、类型、演化程度、烃源岩岩性、物性以及与储集层的配置关系等因素影响。总体特征烃源岩排油率变化于20%~80%,以TOC 2%为界,排油率为50%上下;高TOC、类型优质的烃源岩排油率高。步骤二：源外分散液态烃的主要分布、富集区研究。通过数值模拟正演研究液态烃的优势运移通道及分布富集区;同时,通过热成因沥青的数量统计及分布、样品的荧光特征反演研究分散液态烃的分布富集区。步骤三：不同赋存状态液态烃裂解成气的转化率研究。模拟地质条件下碳酸盐岩、泥岩和砂岩中的分散液态烃裂解生气实验,反映碳酸盐岩、泥岩和砂岩对液态烃的裂解均有催化作用,作用强度依次减弱,主生气期对应的Ro值分别为1.2%~3.2%、1.3%~3.4%和1.4%~3.6%;超压抑制液态烃裂解生气,达到相同转化率温度滞后30℃左右。步骤四：研究区含油气系统研究：加强液态烃晚期规模生气和有效成藏的要素和关键时刻的分析。步骤五：分散液态烃裂解气的定量评价以及资源评估。以深层海相天然气成因研究为基础建立的分散液态烃“五步法”定量评价方法,实现了中国深层古老烃源岩源内分散液态烃裂解气、源外分散液态烃裂解气、古油藏裂解气、干酪根降解气的整体、系统评价。

化工园区重点液态环境风险源监控布点研究

对环境风险源进行科学监控是从源头规避重大环境污染事故发生的有效途径,迄今为止我国在环境风险源监控布点方面尚未形成系统的技术方法。以化工园区重点液态环境风险源为对象,借鉴流域水质目标管理的理念,按照"分区、分类、分级"监控的原则,初步建立了化工园区重点液态环境风险源的监控布点方法,在阐述不同级别重点液态环境风险源监控布点区域一般要求的同时,提出了不同区域重点液态环境风险源监控布点的方法和依据,并以某化工园区为例进行了监控布点示范。

基于BBr3液态硼源的管式扩散设备研究与开发

针对在以BBr3为液态掺杂源的N型晶硅电池扩散工艺过程中,扩散温度高,反应中间产物B2O3为液态,流动性较气态反应物差,副产物黏性较大,腐蚀石英件等特点,在硼扩散设备研制中通过炉门及尾气排放的设计,实现炉口炉尾的高温密封,缓解炉门粘连;优化进出气方式和石英管内压力及气流场控制,提高扩散均匀性;在工艺中增加通水蒸汽功能步,优化反应过程,减少副产物对石英件的腐蚀,降低石英件损耗成本,提高了硼扩散设备的生产效率。为N型晶硅电池硼扩散工艺提供了设备基础。

含矿物源黄腐酸液态氮肥玉米田减肥增效试验

为进一步探寻化肥减量增效有效途径,提高化肥利用率,在滴灌玉米田开展了含矿物源黄腐酸液态氮肥减肥增效试验。试验结果表明:667米^(2)随水滴施含矿物源黄腐酸液态氮肥10千克、磷酸钾铵12千克,较常规施肥玉米株高、茎粗、穗长、穗行数、百粒重、穗粒数、单穗粒重均有增加,667米^(2)增产90千克,增产率达9.2%,667米^(2)净收益增加203元。在滴灌玉米田施含矿物源黄腐酸液态氮肥可以达到化肥减量增效的目标。

分散液态烃的成藏地位与意义

通过不同类型烃源岩生排烃模拟实验与不同源储组合实际剖面研究,确定不同类型烃源岩在不同地质背景下的排油率,基于源内、源外分散液态烃和古油藏裂解成气时机及其影响因素研究,明确油裂解型气源灶的主生气期,在此基础上,建立以成因法为基础的分散液态烃裂解气定量评价＂五步法＂。不同类型烃源岩生排烃模拟实验、不同源储配置排油率研究与岩石热解参数分析等均反映烃源岩内存在数量相当可观的滞留液态烃,总体特征为有机质含量越低,排油率越小。有机碳含量小于2%的烃源岩,液态窗阶段排油率多小于50%;有机碳含量为2%~4%的砂泥互层和厚层泥岩排油率分别为60%和30%。从烃源岩排出的液态烃受古地形控制,以不同丰度差异聚集在地层中,呈分散或半聚半散形式赋存,统称为源外分散液态烃。源内和源外分散液态烃进一步深埋后,均可裂解形成常规和非常规天然气。四川和塔里木盆地勘探实践证明,分散型、半聚半散型和聚集型液态烃裂解气是中国深层天然气的重要来源,勘探地位十分重要。

LSMCD法制备纳米(Pb,La)TiO_3薄膜

研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度 ,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。该工艺的沉积速率约为 3nm/min。

LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究

研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明:沉积8次,采用常规退火方式,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上能成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约80 nm、厚约850 nm的梯度BST薄膜。该BST梯度薄膜在常温下介电常数达526,介电损耗约为0.06,矫顽场强约为100 kV/cm,剩余极化强度约为10μC/cm2,饱和极化强度约为20μC/cm2,在各个领域都具有广阔的应用前景。

LS-MOCVD的真空度测量及自动控制

对液态源金属有机物化学气相沉积（Liquid Source-Metal Organic Chemical Vapor Deposition，LS-MOCVD）设备．文中主要研究了LS-MOCVD的反应室真空获取和控制的方法．整个设备的操作控制由PLC和触摸屏协作完成，用冷阴极电离全量程规测量粗真空，用高精度薄膜规测量工艺过程中的真空，采用内置PID算法的智能蝶阀控制器构成高真空恒压测量控制回路，实现了LS-MOCVD反应室真空的自动测量控制，确保了工艺的稳定性．反应室真空测量范围为常压～8×10^-3Pa，测量精度0．2％，分辨率为满量程的0．0015％．解决了传统气态源MOCVD不同材料之间蒸汽压差大、难以控制及气态金属有机物难以获得的问题．

铁电薄膜的制备方法

介绍了制备铁电薄膜的几种不同种类的方法。 L SMCD技术是一种新型的制备铁电薄膜的技术。采用超声雾化产生微米级或亚微米级尺寸的气雾 ,再用载气将气雾引入沉积室内 ,沉积在基片上。重复此过程直至膜厚达到所需厚度。

由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究

在化学反应扩散制备ｐ／ｎ结的过程中，伴随生成的ＳｉＯ２薄膜的厚度与扩散进入硅中的掺杂量有确定的关系（ＱＳｉ＝ｃｄ），由此可由氧化层厚度简便地估算扩散掺杂量。

论叠合含油气盆地多勘探“黄金带”及其意义

蒂索生烃模式指出了"液态窗"存在的温度和深度范围,成为油气勘探的"黄金带",但勘探实践证实中国叠合盆地发育多个勘探"黄金带"。多勘探"黄金带"的形成有3方面因素:1烃源灶多期、多阶段发育与古老烃源岩"双峰式"生烃;2储集层多阶段发育;3成藏多期性与晚期有效性。常规烃源灶、液态烃裂解气源灶以及多套规模有效储集层控制了"黄金带"的时空分布;勘探"黄金带"具有继承叠置与横向迁延的特点,其中古隆起、古斜坡、古台缘与多期继承性断裂带控制了勘探"黄金带"内油气分布。多勘探"黄金带"的提出是对中国近年来油气发现规律认识的深化,表明中国叠合盆地深层仍有经济资源,油气发现呈多期、多阶段的特点,勘探潜力更大。